|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22240 | 22241 | 22242 | 22243 | 22244 | 22245 | 22246 | 22247 | 22248 | 22249 | 22250 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
889761MMBT1010LT1Низкие Типы Напряжения тока СатурацииLeshan Radio Company
889762MMBT1010LT1ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ ТРАНЗИСТОРОВ ВОДИТЕЛЯ PNP ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯMotorola
889763MMBT1010LT1Низкая напряжение насыщения кремния PNP Водитель ТранзисторыON Semiconductor
889764MMBT1010LT1-DНизкие Транзисторы Водителя Кремния Напряжения тока PNP СатурацииON Semiconductor
889765MMBT1010T1ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ ТРАНЗИСТОРОВ ВОДИТЕЛЯ PNP ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯON Semiconductor
889766MMBT1015Миниый размер дискретных элементов полупроводникаSINYORK
889767MMBT123SДвухполярные ТранзисторыDiodes
889768MMBT123S-7ТРАНЗИСТОР ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ 1A NPNDiodes
889769MMBT123S-7-FБиполярные транзисторыDiodes
889770MMBT1815Миниый размер дискретных элементов полупроводникаSINYORK
889771MMBT200Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP Общего назначенияNational Semiconductor
889772MMBT200Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP Общего назначенияFairchild Semiconductor
889773MMBT200AДержатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP Общего назначенияNational Semiconductor
889774MMBT200AДержатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP Общего назначенияFairchild Semiconductor
889775MMBT2131Транзистор Двухполярного СоединенияON Semiconductor
889776MMBT2131T1Транзистор Двухполярного СоединенияON Semiconductor
889777MMBT2131T1-DОбщего назначения Транзистор Двухполярного Соединения Транзисторов PNP (Комплементарное Приспособление NPN: MMBT2132T1/T3) ПРИМЕЧАНИЕ: Напряжение тока и течение отрицательные для транзистора PNP.ON Semiconductor
889778MMBT2131T3Общего назначения ТранзисторыON Semiconductor
889779MMBT2132Транзистор Двухполярного СоединенияON Semiconductor
889780MMBT2132T1Общего назначения ТранзисторыON Semiconductor
889781MMBT2132T1-DОбщего назначения Транзистор Двухполярного Соединения Транзисторов NPN (Комплементарное Приспособление PNP: MMBT2131T1/T3)ON Semiconductor
889782MMBT2132T3Транзистор Двухполярного СоединенияON Semiconductor
889783MMBT2222Транзисторы переключения NPNPhilips
889784MMBT2222Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN Общего назначенияFairchild Semiconductor
889785MMBT2222NPN кремниевый транзистор.Motorola
889786MMBT222260 V, 600 MA, NPN кремния эпитаксиальный транзисторSamsung Electronic
889787MMBT2222AТранзисторы переключения NPNPhilips
889788MMBT2222AДержатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN Общего назначенияNational Semiconductor
889789MMBT2222AДержатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN Общего назначенияFairchild Semiconductor
889790MMBT2222AМАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА NPNST Microelectronics
889791MMBT2222AМалый Транзистор Сигнала (NPN)Vishay
889792MMBT2222AБлок транзистора NPN, высокочастотные применения от dc к 500MHzMicrosemi
889793MMBT2222AДвухполярные ТранзисторыDiodes
889794MMBT2222AМалый Транзистор Сигнала (NPN)General Semiconductor
889795MMBT2222AМалый Транзистор Сигнала (NPN)Comchip Technology
889796MMBT2222AДержатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN Общего назначенияMicro Commercial Components
889797MMBT2222AТранзисторы переключения кремния NPN (высокое напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера в настоящее время увеличения dc низкое)Infineon
889798MMBT2222AОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРА NPNZowie Technology Corporation
889799MMBT2222AТранзисторы переключения транзистораNXP Semiconductors
889800MMBT2222AVce = 10В транзисторMCC
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22240 | 22241 | 22242 | 22243 | 22244 | 22245 | 22246 | 22247 | 22248 | 22249 | 22250 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com