Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
889761 | MMBT1010LT1 | Низкие Типы Напряжения тока Сатурации | Leshan Radio Company |
889762 | MMBT1010LT1 | ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ ТРАНЗИСТОРОВ ВОДИТЕЛЯ PNP
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | Motorola |
889763 | MMBT1010LT1 | Низкая напряжение насыщения кремния PNP Водитель Транзисторы | ON Semiconductor |
889764 | MMBT1010LT1-D | Низкие Транзисторы Водителя Кремния Напряжения тока
PNP Сатурации | ON Semiconductor |
889765 | MMBT1010T1 | ДЕРЖАТЕЛЬ ПОВЕРХНОСТИ ТРАНЗИСТОРОВ ВОДИТЕЛЯ PNP
ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ | ON Semiconductor |
889766 | MMBT1015 | Миниый размер дискретных элементов полупроводника | SINYORK |
889767 | MMBT123S | Двухполярные Транзисторы | Diodes |
889768 | MMBT123S-7 | ТРАНЗИСТОР ДЕРЖАТЕЛЯ ПОВЕРХНОСТИ 1A NPN | Diodes |
889769 | MMBT123S-7-F | Биполярные транзисторы | Diodes |
889770 | MMBT1815 | Миниый размер дискретных элементов полупроводника | SINYORK |
889771 | MMBT200 | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | National Semiconductor |
889772 | MMBT200 | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
889773 | MMBT200A | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | National Semiconductor |
889774 | MMBT200A | Держатель Поверхности Транзистора Усилителя PNP
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
889775 | MMBT2131 | Транзистор Двухполярного Соединения | ON Semiconductor |
889776 | MMBT2131T1 | Транзистор Двухполярного Соединения | ON Semiconductor |
889777 | MMBT2131T1-D | Общего назначения Транзистор Двухполярного Соединения
Транзисторов PNP (Комплементарное Приспособление NPN:
MMBT2132T1/T3) ПРИМЕЧАНИЕ: Напряжение тока и
течение отрицательные для транзистора PNP. | ON Semiconductor |
889778 | MMBT2131T3 | Общего назначения Транзисторы | ON Semiconductor |
889779 | MMBT2132 | Транзистор Двухполярного Соединения | ON Semiconductor |
889780 | MMBT2132T1 | Общего назначения Транзисторы | ON Semiconductor |
889781 | MMBT2132T1-D | Общего назначения Транзистор Двухполярного Соединения
Транзисторов NPN (Комплементарное Приспособление PNP:
MMBT2131T1/T3) | ON Semiconductor |
889782 | MMBT2132T3 | Транзистор Двухполярного Соединения | ON Semiconductor |
889783 | MMBT2222 | Транзисторы переключения NPN | Philips |
889784 | MMBT2222 | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
889785 | MMBT2222 | NPN кремниевый транзистор. | Motorola |
889786 | MMBT2222 | 60 V, 600 MA, NPN кремния эпитаксиальный транзистор | Samsung Electronic |
889787 | MMBT2222A | Транзисторы переключения NPN | Philips |
889788 | MMBT2222A | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | National Semiconductor |
889789 | MMBT2222A | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Fairchild Semiconductor |
889790 | MMBT2222A | МАЛЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИГНАЛА NPN | ST Microelectronics |
889791 | MMBT2222A | Малый Транзистор Сигнала (NPN) | Vishay |
889792 | MMBT2222A | Блок транзистора NPN, высокочастотные применения
от dc к 500MHz | Microsemi |
889793 | MMBT2222A | Двухполярные Транзисторы | Diodes |
889794 | MMBT2222A | Малый Транзистор Сигнала (NPN) | General Semiconductor |
889795 | MMBT2222A | Малый Транзистор Сигнала (NPN) | Comchip Technology |
889796 | MMBT2222A | Держатель Поверхности Транзисторов Усилителя NPN
Общего назначения | Micro Commercial Components |
889797 | MMBT2222A | Транзисторы переключения кремния NPN (высокое
напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера в настоящее время
увеличения dc низкое) | Infineon |
889798 | MMBT2222A | ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОРА NPN | Zowie Technology Corporation |
889799 | MMBT2222A | Транзисторы переключения транзистора | NXP Semiconductors |
889800 | MMBT2222A | Vce = 10В транзистор | MCC |
| | | |