| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 890561 | MMBV3401 | Диод Ping Кремния | Leshan Radio Company |
| 890562 | MMBV3401L | Диод Ping Кремния | Leshan Radio Company |
| 890563 | MMBV3401L | Детектор Диода UHF/VHF Штыря Кремния | ON Semiconductor |
| 890564 | MMBV3401LT1 | Диод Ping Кремния | Leshan Radio Company |
| 890565 | MMBV3401LT1 | Детектор Диода UHF/VHF Штыря Кремния | ON Semiconductor |
| 890566 | MMBV3401LT1-D | Детектор Диода UHF/VHF Штыря Кремния | ON Semiconductor |
| 890567 | MMBV3401LT3 | Детектор Диода UHF/VHF Штыря Кремния | ON Semiconductor |
| 890568 | MMBV3700L | Высоковольтные Диоды Штыря Кремния | ON Semiconductor |
| 890569 | MMBV3700LT1 | Детектор Диода UHF/VHF Штыря Кремния | Leshan Radio Company |
| 890570 | MMBV3700LT1 | Высоковольтные Диоды Штыря Кремния | ON Semiconductor |
| 890571 | MMBV3700LT1-D | Высоковольтные Диоды Штыря Кремния | ON Semiconductor |
| 890572 | MMBV409L | PF диодов 6.8 до 100 кремния настраивая,
30 вольтов диодов емкости напряжения тока переменных | ON Semiconductor |
| 890573 | MMBV409LT1 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | Leshan Radio Company |
| 890574 | MMBV409LT1 | PF диодов 6.8 до 100 кремния настраивая,
30 вольтов диодов емкости напряжения тока переменных | ON Semiconductor |
| 890575 | MMBV409LT1-D | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | ON Semiconductor |
| 890576 | MMBV432 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | Leshan Radio Company |
| 890577 | MMBV432L | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | ON Semiconductor |
| 890578 | MMBV432LT1 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | Leshan Radio Company |
| 890579 | MMBV432LT1 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | ON Semiconductor |
| 890580 | MMBV432LT1-D | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | ON Semiconductor |
| 890581 | MMBV609 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | Leshan Radio Company |
| 890582 | MMBV609L | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | ON Semiconductor |
| 890583 | MMBV609LT1 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | Leshan Radio Company |
| 890584 | MMBV609LT1 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | ON Semiconductor |
| 890585 | MMBV609LT1-D | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | ON Semiconductor |
| 890586 | MMBV809L | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | ON Semiconductor |
| 890587 | MMBV809LT1 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | Leshan Radio Company |
| 890588 | MMBV809LT1 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | ON Semiconductor |
| 890589 | MMBV809LT1-D | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | ON Semiconductor |
| 890590 | MMBV809LT3 | Диод кремния настраивая (диод высокого hyperabrupt
ц двойной настраивая конструировал для низкой настраивая деятельности
напряжения тока | ON Semiconductor |
| 890591 | MMBZ10VAL | Zener TVSs | Diodes |
| 890592 | MMBZ10VAL | Низкая емкость диодов однонаправленный защиты двойной ОУР | NXP Semiconductors |
| 890593 | MMBZ10VAL-7-F | Стабилитрон TVSS | Diodes |
| 890594 | MMBZ10VALT1 | усмирители напряжения тока Zener пиковой силы
24 и 40 ватт переходные | ON Semiconductor |
| 890595 | MMBZ12V | 225W 12V REG ZEN SOT23 | ON Semiconductor |
| 890596 | MMBZ12VAL | усмирители напряжения тока Zener пиковой силы
24 и 40 ватт переходные | ON Semiconductor |
| 890597 | MMBZ12VAL | Низкая емкость диодов однонаправленный защиты двойной ОУР | NXP Semiconductors |
| 890598 | MMBZ12VALT1 | 225W 12V REG ZEN SOT23 | ON Semiconductor |
| 890599 | MMBZ12VDL | Двойные защитные диоды ОУР для переходного подавления перенапряжения | NXP Semiconductors |
| 890600 | MMBZ15 | ДЕРЖАТЕЛЬ TVS ПИКОВОЙ СИЛЫ 40W ДВОЙНОЙ
ПОВЕРХНОСТНЫЙ | Diodes |
| | | |
