|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22306 | 22307 | 22308 | 22309 | 22310 | 22311 | 22312 | 22313 | 22314 | 22315 | 22316 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
892401MMFT3055VLPower MOSFET 1 А, 60 ВольтON Semiconductor
892402MMFT3055VL-DMosfet Силы 1 Ампер, 60 Вольтов Н-Kanala SOT-223ON Semiconductor
892403MMFT5P03HDFET СИЛЫ TMOS СРЕДСТВ 5.2 АМПЕРА 30 ВОЛЬТОВMotorola
892404MMFT5P03HDMosfet Силы 5 Амперов, 30 Вольтов Н-Kanala SO-8ON Semiconductor
892405MMFT5P03HD-DMosfet Силы 5 Амперов, 30 Вольтов П-Kanala SOT-223ON Semiconductor
892406MMFT5P03HDT1Mosfet Силы 5 Амперов, 30 Вольтов Н-Kanala SO-8ON Semiconductor
892407MMFT5P03HDT3ТРАНЗИСТОР ПОЛЯ FEECT TMOS P-CHANNELMotorola
892408MMFT5P03HDT3Mosfet Силы 5 Амперов, 30 Вольтов Н-Kanala SO-8ON Semiconductor
892409MMFT6N03HDСИЛА TMOS 6.0 АМПЕРА 30 ВОЛЬТОВMotorola
892410MMFT960Mosfet силы 300 mA, 60 вольтов Н-Kanala SOT-223ON Semiconductor
892411MMFT960T1СРЕДСТВ fet СИЛЫ TMOS 300 mA 60 ВОЛЬТОВMotorola
892412MMFT960T1Mosfet силы 300 mA, 60 вольтов Н-Kanala SOT-223ON Semiconductor
892413MMFT960T1-DMosfet силы 300 mA, 60 вольтов Н-Kanala SOT-223ON Semiconductor
892414MMFT960T1GMosfet силы 300 mA, 60 вольтов Н-Kanala SOT-223ON Semiconductor
892415MMG05N60DPOWERLUX IGBTMotorola
892416MMG05N60DУСТАРЕЛО - IGBT N-канал (0.5A, 600В)ON Semiconductor
892417MMG05N60D-DИзолированный Строб Кремния Повышени-Rejima Н-Kanala Транзистора Строба ДвухполярныйON Semiconductor
892418MMG1001R2MMG1001R2 870 мегациклов, 19 увеличений dB, интегрированный CATV модуль усилителя 132-ChannelMotorola
892419MMG1001R2870 модуль усилителя увеличения 132–Channel gaAs dB мегацикла 19 интегрированный CATVFreescale (Motorola)
892420MMG2001R2MMG2001R2 870 Мегацикл, 19.5 увеличение dB, интегрированный CATV модуль усилителя 132-ChannelMotorola
892421MMG2001R2870 модуль 19.5 усилителя увеличения 132–Channel gaAs dB мегацикла интегрированный CATVFreescale (Motorola)
892422MMG3002NT1Технология Транзистора Гетероперехода Двухполярная (InGaP HBT)Motorola
892423MMJT350T1Двухполярные Транзисторы СилыON Semiconductor
892424MMJT350T1-DДвухполярный Кремний Транзисторов Силы PNPON Semiconductor
892425MMJT9410Двухполярные Транзисторы СилыMotorola
892426MMJT9410Транзистор Силы NPN ДвухполярныйON Semiconductor
892427MMJT9410-DДвухполярный Кремний Транзисторов Силы NPNON Semiconductor
892428MMJT9410T1Транзистор Силы NPN ДвухполярныйON Semiconductor
892429MMJT9435Двухполярные Транзисторы СилыMotorola
892430MMJT9435Транзистор Силы PNP ДвухполярныйON Semiconductor
892431MMJT9435-DДвухполярный Кремний Транзисторов Силы PNPON Semiconductor
892432MMJT9435T1Транзистор Силы PNP ДвухполярныйON Semiconductor
892433MMJT9435T3Транзистор Силы PNP ДвухполярныйON Semiconductor
892434MMKМеталлизированный полиэфир согласно CECC 30401-042, iec 60384-2, din 44122etc
892435MMK10Металлизированный полиэфир согласно CECC 30401-042, iec 60384-2, din 44122etc
892436MMK15Металлизированный полиэфир согласно CECC 30401-042, iec 60384-2, din 44122etc
892437MMK5Металлизированный полиэфир согласно CECC 30401-042, iec 60384-2, din 44122etc
892438MMK7.5Металлизированный полиэфир согласно CECC 30401-042, iec 60384-2, din 44122etc
892439MMKP 383Металлизированный двойник, положено в коробку, тангаж 7,5-27,5mmVishay
892440MMKP 483Металлизированный двойник, отлакировано, тангаж 7,5-27,5mmVishay
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22306 | 22307 | 22308 | 22309 | 22310 | 22311 | 22312 | 22313 | 22314 | 22315 | 22316 | >>
English Version for this page Version franaise pour cette page Deutsche Version fr diese Seite Verso portuguese para esta pgina



© 2017 - www.DatasheetCatalog.com