|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 23237 | 23238 | 23239 | 23240 | 23241 | 23242 | 23243 | 23244 | 23245 | 23246 | 23247 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
929641NID5003NT4Собственн-Za5i5enny1 fet с температурой и предельным током 42 в, 20 а, одиночный Н-Kanal, DPAKON Semiconductor
929642NID5004NSelf-Защищенный FET с температурой и Current Limit 40 В, 6,5 А, Н-Kanala, DPAKON Semiconductor
929643NID6002NSelf-Защищенный FET с температурой и Current Limit 65 В, 6,5 А, Н-Kanala, DPAKON Semiconductor
929644NID9N05CLMosfet 9 а силы, 52 в, Н-Kanal, уровень логики, зажал предохранение от mosfet w/ESD в пакете DPAKON Semiconductor
929645NID9N05CLT4Mosfet 9 а силы, 52 в, Н-Kanal, уровень логики, зажал предохранение от mosfet w/ESD в пакете DPAKON Semiconductor
929646NID9N05CLT4GMosfet 9 а силы, 52 в, Н-Kanal, уровень логики, зажал предохранение от mosfet w/ESD в пакете DPAKON Semiconductor
929647NIF5002NСобственн-Za5i5enny1 fet с температурой и предельным током 42 в 2.0 одиночный канал SOT-223 нON Semiconductor
929648NIF5002NDСобственн-Za5i5enny1 fet с температурой и предельным токомON Semiconductor
929649NIF5002NT1Собственн-Za5i5enny1 fet с температурой и предельным током 42 в 2.0 одиночный канал SOT-223 нON Semiconductor
929650NIF5002NT1GСобственн-Za5i5enny1 fet с температурой и предельным током 42 в 2.0 одиночный канал SOT-223 нON Semiconductor
929651NIF5002NT3Собственн-Za5i5enny1 fet с температурой и предельным током 42 в 2.0 одиночный канал SOT-223 нON Semiconductor
929652NIF5003NSelf-защищен FET с температурой и Current Limit 42 В, 14 А, Н-Kanala, СОТ-223ON Semiconductor
929653NIF62514Собственн-za5i5ennye fet, течение и предел температуры, 42V струбцина, ESD, SOT-223ON Semiconductor
929654NIF62514-DТранзисторы влияния поля HDPlus Собственн-za5i5ennye Н-Kanalom с температурой и предельным токомON Semiconductor
929655NIF62514T1Собственн-za5i5ennye fet, течение и предел температуры, 42V струбцина, ESD, SOT-223ON Semiconductor
929656NIF62514T3Собственн-za5i5ennye fet, течение и предел температуры, 42V струбцина, ESD, SOT-223ON Semiconductor
929657NIF9N05CLЗащищенный mosfet 2.6 а силы, уровень логики 52V Н-n-Ch, зажатое предохранение от mosfet w/ESDON Semiconductor
929658NIF9N05CLT1Защищенный mosfet 2.6 а силы, уровень логики 52V Н-n-Ch, зажатое предохранение от mosfet w/ESDON Semiconductor
929659NIF9N05CLT3Защищенный mosfet 2.6 а силы, уровень логики 52V Н-n-Ch, зажатое предохранение от mosfet w/ESDON Semiconductor
929660NILMS4501NPower MOSFET с текущим зеркалом FET 24V, 9,5 A, N-канальный, ОУР Защищенный, 1:250 Текущий Зеркало, SO-8 Ведущий Менее QFNON Semiconductor
929661NIMD6001NДвойной драйвер N-канал с диагностическим выходON Semiconductor
929662NIMD6302R2Транзистор влияния поля HDPlus двойным Собственн-Za5i5enny1 Н-Kanalom с fet чувства 1:200 в настоящее времяON Semiconductor
929663NIMD6302R2Транзистор влияния поля HDPlus двойным Собственн-Za5i5enny1 Н-Kanalom с fet чувства 1:200 в настоящее времяON Semiconductor
929664NIMD6302R2-DТранзисторы влияния поля HDPlus двойным Собственн-za5i5ennye Н-Kanalom с fet чувства 1:200 в настоящее времяON Semiconductor
929665NIS1050Защита Схема интерфейса для PMICs со встроенным OVP контролюON Semiconductor
929666NIS3001Интегрированный водитель и сила mosfet обломок для одновременных регуляторов самеца оленяON Semiconductor
929667NIS3001Интегрированный водитель и сила mosfet обломок для одновременных регуляторов самеца оленяON Semiconductor
929668NIS3001QPT1Интегрированный водитель и сила mosfet обломок для одновременных регуляторов самеца оленяON Semiconductor
929669NIS5101Франтовской Горячий Mosfet Штепсельной вилкиON Semiconductor
929670NIS5101Франтовской Горячий Mosfet Штепсельной вилкиON Semiconductor
929671NIS5101Франтовской Горячий Mosfet Штепсельной вилкиON Semiconductor
929672NIS5101B1T4Франтовской Горячий Mosfet Штепсельной вилкиON Semiconductor
929673NIS5101B1T4Франтовской Горячий Mosfet Штепсельной вилкиON Semiconductor
929674NIS5101B1T4Франтовской Горячий Mosfet Штепсельной вилкиON Semiconductor
929675NIS5101B2T4Франтовской Горячий Mosfet Штепсельной вилкиON Semiconductor
929676NIS5101B2T4Франтовской Горячий Mosfet Штепсельной вилкиON Semiconductor
929677NIS5101B2T4Франтовской Горячий Mosfet Штепсельной вилкиON Semiconductor
929678NIS5101E1T1Франтовской Горячий Mosfet Штепсельной вилкиON Semiconductor
929679NIS5101E1T1Франтовской Горячий Mosfet Штепсельной вилкиON Semiconductor
929680NIS5101E1T1Франтовской Горячий Mosfet Штепсельной вилкиON Semiconductor
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 23237 | 23238 | 23239 | 23240 | 23241 | 23242 | 23243 | 23244 | 23245 | 23246 | 23247 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com