|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 23526 | 23527 | 23528 | 23529 | 23530 | 23531 | 23532 | 23533 | 23534 | 23535 | 23536 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
941201NX7301BA-CC1310 нм InGaAsP MQW FP лазерный диод для 155 Мбит / с и 622 МБ / с приложений. С разъемом SC-UPC. Квартира крепление фланца.NEC
941202NX7301CA-CC1310 нм InGaAsP MQW FP лазерный диод для 155 Мбит / с и 622 МБ / с приложений. С разъемом SC-UPC. Вертикальное крепление фланца.NEC
941203NX7302BA-CC1310 нм InGaAsP MQW FP лазерный диод для 622 заявок МБ / с. С разъемом SC-UPC. Квартира крепление фланца.NEC
941204NX7302CA-CC1310 нм InGaAsP MQW FP лазерный диод для 622 заявок МБ / с. С разъемом SC-UPC. Вертикальное крепление фланца.NEC
941205NX7303BA-CC1310 нм InGaAsP MQW FP лазерный диод для 155 заявок МБ / с. С разъемом SC-UPC. Квартира крепление фланца.NEC
941206NX7303CA-CC1310 нм InGaAsP MQW FP лазерный диод для 155 заявок МБ / с. С разъемом SC-UPC. Вертикальное крепление фланца.NEC
941207NX7304BG-CC1310 нм InGaAsP MQW FP лазерный диод для волоконно-оптических коммуникаций. С разъемом SC-UPC. Квартира крепление фланца.NEC
941208NX7304CG-CC1310 нм InGaAsP MQW FP лазерный диод для волоконно-оптических коммуникаций. С разъемом SC-UPC. Квартира крепление фланца.NEC
941209NX7312UA1310 нм InGaAsP MQW FP лазерный диод для перевозки на короткие расстояния 155 Мбит / с и приложений 622 Мб / с.NEC
941210NX7313UA1310 нм InGaAsP MQW FP лазерный диод для Gigabit Ethernet применения.NEC
941211NX7314UA1310 нм InGaAsP MQW FP лазерный диод для долгого пути 155 Мбит / с приложением.NEC
941212NX7315UA1310 нм InGaAsP MQW FP лазерный диод для применения 2,5 Гбит / с внутри-офисной.NEC
941213NX7327BF-AA1310 нм InGaAsP MQW FP импульсный лазерный диод для применения рефлектометра (110 мВт мин). Квартира крепление фланца.NEC
941214NX7328BF-AA1310 нм InGaAsP MQW FP импульсный лазерный диод для применения рефлектометра (70 мВт мин). Квартира крепление фланца.NEC
941215NX7329BB-AA1310 нм InGaAsP MQW FP импульсный лазерный диод для применения рефлектометра (25 мВт мин). Квартира крепление фланца.NEC
941216NX7361JB-BC1310 нм InGaAsP MQW FP импульсный лазерный диод для применения рефлектометра (150 мВт мин). С разъемом FC-UPC.NEC
941217NX7460LE1 480 МОДУЛЬ ДИОДА лазера ПРИМЕНЕНИЯ НАПРЯЧЬННЫЙ InGaAsP MQW DC-PBH nm EDFANEC
941218NX7460LEInGaAsP НАПРЯЧЬЛО ПРИМЕНЕНИЕ ТЕЛЕМЕТРИИ МОДУЛЯ 1 625 nm ДИОДА лазера DC-PBHNEC
941219NX7460LE1 510 МОДУЛЬ ДИОДА лазера СВЯЗЕЙ НАПРЯЧЬННЫЙ InGaAsP MQW DC-PBH ВОЛОКНА nm ОПТИЧЕСКИNEC
941220NX7460LE-BA1 480 МОДУЛЬ ДИОДА лазера ПРИМЕНЕНИЯ НАПРЯЧЬННЫЙ InGaAsP MQW DC-PBH nm EDFANEC
941221NX7460LE-CA1 480 МОДУЛЬ ДИОДА лазера ПРИМЕНЕНИЯ НАПРЯЧЬННЫЙ InGaAsP MQW DC-PBH nm EDFANEC
941222NX7461LE-CC1480 нм InGaAsP MQW FP НАСОС лазерный модуль диода для применения EDFA (150 мВт мин). С разъемом SC-UPC.NEC
941223NX7462LE-CC1480 нм InGaAsP MQW FP НАСОС лазерный модуль диода для применения EDFA (120 мВт мин). С разъемом SC-UPC.NEC
941224NX7526BF-AA1550 нм InGaAsP MQW FP импульсный лазерный диод для применения рефлектометра (95 мВт мин). Квартира крепление фланца.NEC
941225NX7527BF-AA1550 нм InGaAsP MQW FP импульсный лазерный диод для применения рефлектометра (120 мВт мин). Квартира крепление фланца.NEC
941226NX7528BF-AA1550 нм InGaAsP MQW FP импульсный лазерный диод для применения рефлектометра (60 мВт мин). Квартира крепление фланца.NEC
941227NX7529BB-AA1550 нм InGaAsP MQW FP импульсный лазерный диод для применения рефлектометра (20 мВт мин). Квартира крепление фланца.NEC
941228NX7561JB-BC1550 нм InGaAsP MQW FP импульсный лазерный диод для применения рефлектометра (135 мВт мин). С разъемом FC-PC.NEC
941229NX7660JCInGaAsP НАПРЯЧЬЛО ПРИМЕНЕНИЕ ТЕЛЕМЕТРИИ МОДУЛЯ 1 625 nm ДИОДА лазера DC-PBHNEC
941230NX7660JC1 480 МОДУЛЬ ДИОДА лазера ПРИМЕНЕНИЯ НАПРЯЧЬННЫЙ InGaAsP MQW DC-PBH nm EDFANEC
941231NX7660JC1 510 МОДУЛЬ ДИОДА лазера СВЯЗЕЙ НАПРЯЧЬННЫЙ InGaAsP MQW DC-PBH ВОЛОКНА nm ОПТИЧЕСКИNEC
941232NX7660JC-BAInGaAsP НАПРЯЧЬЛО ПРИМЕНЕНИЕ ТЕЛЕМЕТРИИ МОДУЛЯ 1 625 nm ДИОДА лазера DC-PBHNEC
941233NX7660JC-CAInGaAsP НАПРЯЧЬЛО ПРИМЕНЕНИЕ ТЕЛЕМЕТРИИ МОДУЛЯ 1 625 nm ДИОДА лазера DC-PBHNEC
941234NX7661JB-BC1625 нм InGaAsP MQW FP импульсный лазерный диод для применения рефлектометра (120 мВт мин). С разъемом FC-PC.NEC
941235NX8300BE-CC1310 нм InGaAsP MQW DFB лазерный диод для 2,5 Гбит / с приложения. С разъемом SC-UPC. Квартира крепление фланца.NEC
941236NX8300CE-CC1310 нм InGaAsP MQW DFB лазерный диод для 2,5 Гбит / с приложения. С разъемом SC-UPC. Вертикальное крепление фланца.NEC
941237NX8303BG-CC1310 нм InGaAsP MQW DFB лазерный диод для 622 Мбит / с приложением. С разъемом SC-UPC. Квартира крепление фланца.NEC
941238NX8303CG-CC1310 нм InGaAsP MQW DFB лазерный диод для 622 Мбит / с приложением. С разъемом SC-UPC. Вертикальное крепление фланца.NEC
941239NX8304BE-CC1310 нм InGaAsP MQW-DFB лазерный диод для волоконно-оптических коммуникаций. С разъемом SC-UPC. Квартира крепление фланца.NEC
941240NX8304CE-CC1310 нм InGaAsP MQW-DFB лазерный диод для волоконно-оптических коммуникаций. С разъемом SC-UPC. Вертикальное крепление фланца.NEC
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 23526 | 23527 | 23528 | 23529 | 23530 | 23531 | 23532 | 23533 | 23534 | 23535 | 23536 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com