| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 975841 | PBR941B | UHF широкополосный транзистор | Philips |
| 975842 | PBR941B | PBR941B; UHF широкополосный транзистор | Philips |
| 975843 | PBR941B | NPN UHF широкополосный транзистор | NXP Semiconductors |
| 975844 | PBR951 | UHF широкополосный транзистор | Philips |
| 975845 | PBR951 | NPN UHF широкополосный транзистор | NXP Semiconductors |
| 975846 | PBRN113ET | NPN 800 мА, 40 В BISS ТВЭ; R1 = 1 кОм, R2 = 1 кОм | NXP Semiconductors |
| 975847 | PBRN113ZT | NPN 800 мА, 40 В BISS ТВЭ; R1 = 1 кОм, R2 = 10 кОм | NXP Semiconductors |
| 975848 | PBRN123ET | NPN 800 мА, 40 В BISS ТВЭ; R1 = 2,2 кОм, R2 = 2,2 кОм | NXP Semiconductors |
| 975849 | PBRN123YT | NPN 800 мА, 40 В BISS ТВЭ; R1 = 2,2 кОм, R2 = 10 кОм | NXP Semiconductors |
| 975850 | PBRP113ET | PNP 800 мА, 40 В BISS RET; R1 = 1 кОм, R2 = 1 кОм | NXP Semiconductors |
| 975851 | PBRP113ZT | PNP 800 мА, 40 В BISS RET; R1 = 1 кОм, R2 = 10 кОм | NXP Semiconductors |
| 975852 | PBRP123ET | PNP 800 мА, 40 В BISS RET; R1 = 2,2 кОм, R2 = 2,2 кОм | NXP Semiconductors |
| 975853 | PBRP123YT | PNP 800 мА, 40 В BISS RET; R1 = 2,2 кОм, R2 = 10 кОм | NXP Semiconductors |
| 975854 | PBSM5240PF | 40 В, 2 А PNP низкий VCEsat (BISS) транзистор с N-канальный MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 975855 | PBSM5240PFH | 40 В, 2 А PNP низкий VCEsat (BISS) транзистор с N-канальный MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 975856 | PBSS2515 | 15 транзистор в низкий VCEsat NPN
двойной | Philips |
| 975857 | PBSS2515E | 15 в, 0.5 транзистора а NPN низких
VCEsat (BISS) | Philips |
| 975858 | PBSS2515E | 15 В, 0,5 А NPN низкий VCEsat (BISS) транзистор | NXP Semiconductors |
| 975859 | PBSS2515F | 15 транзистор в низкий VCEsat NPN | Philips |
| 975860 | PBSS2515M | 15 в, 0.5 транзистора а NPN низких
VCEsat (BISS) | Philips |
| 975861 | PBSS2515M | PBSS2515M; 15 в, 0.5 транзистора а
NPN низкихв CEsat
(BISS) | Philips |
| 975862 | PBSS2515M | 15 В, 0,5 А NPN низкий VCEsat (BISS) транзистор | NXP Semiconductors |
| 975863 | PBSS2515MB | 15 В, 0,5 А NPN низкий VCEsat (BISS) транзистор | NXP Semiconductors |
| 975864 | PBSS2515VPN | 15 транзистор в низкий VCEsat NPN/PNP | Philips |
| 975865 | PBSS2515VPN | 15 В низкий VCEsat NPN / PNP транзистор | NXP Semiconductors |
| 975866 | PBSS2515VS | 15 транзистор в низкий VCEsat NPN
двойной | Philips |
| 975867 | PBSS2515VS | 15 В низкий VCEsat NPN двойной транзистор | NXP Semiconductors |
| 975868 | PBSS2515YPN | 15 транзистор в низкий VCEsat NPN/PNP | Philips |
| 975869 | PBSS2515YPN | 15 В низкий VCEsat NPN / PNP транзистор | NXP Semiconductors |
| 975870 | PBSS2540E | 40 В, 500 мА NPN низкий VCEsat (BISS) транзистор | NXP Semiconductors |
| 975871 | PBSS2540F | 40 транзистор в низкий VCEsat NPN | Philips |
| 975872 | PBSS2540M | 40 в, 0.5 транзистора а NPN низких
VCEsat (BISS) | Philips |
| 975873 | PBSS2540M | PBSS2540M; 40 в, 0.5 транзистора а
NPN низкихв CEsat
(BISS) | Philips |
| 975874 | PBSS2540M | 40 В, 0,5 А NPN низкий VCEsat (BISS) транзистор | NXP Semiconductors |
| 975875 | PBSS2540MB | 40 В, 0,5 А NPN низкий VCEsat (BISS) транзистор | NXP Semiconductors |
| 975876 | PBSS301ND | 20 в, 4 транзистор а NPN низкий VCEsat
(BISS) | Philips |
| 975877 | PBSS301ND | 20 В, 4 NPN низкий VCEsat (BISS) транзистор | NXP Semiconductors |
| 975878 | PBSS301NX | 12 В, 5.3 NPN низкий VCEsat (BISS) транзистор | NXP Semiconductors |
| 975879 | PBSS301NZ | 12 В, 5,8 NPN низкий VCEsat (BISS) транзистор | NXP Semiconductors |
| 975880 | PBSS301PD | 20 в, 4 транзистор а PNP низкий VCEsat
(BISS) | Philips |
| | | |
