|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 12440 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
10301PESD5V0S2BTНизкая емкость двунаправленный двойная защита ОУР диодNXP Semiconductors
10302PESD5V0S2UATДвухместный диод Защита от электростатического разряда в корпусе SOT23NXP Semiconductors
10303PESD5V0S2UQДвойные защитные диоды ОУР в SOT663 корпусеNXP Semiconductors
10304PESD5V0S4UDЧетырехместный массивы Защита от электростатического разряда диодные в SOT457 корпусеNXP Semiconductors
10305PESD5V0S4UFОднонаправленный четверка Защита от электростатического разряда диодные линейкиNXP Semiconductors
10306PESD5V0S5UDПятикратный ESD защита диодные линейкиNXP Semiconductors
10307PESD5V0U1BAУльтра диоды малой емкости защиты двунаправленный ОУРNXP Semiconductors
10308PESD5V0U1BBУльтра диоды малой емкости защиты двунаправленный ОУРNXP Semiconductors
10309PESD5V0U1BLУльтра диоды малой емкости защиты двунаправленный ОУРNXP Semiconductors
10310PESD5V0U1BLDУльтра диод малой емкости защиты двунаправленный ОУРNXP Semiconductors
10311PESD5V0U1UAУльтра диоды малой емкости защиты однонаправленный ОУРNXP Semiconductors
10312PESD5V0U1UBУльтра диоды малой емкости защиты однонаправленный ОУРNXP Semiconductors
10313PESD5V0U1ULУльтра диоды малой емкости защиты однонаправленный ОУРNXP Semiconductors
10314PESD5V0U1UTУльтра низкая емкость Защита от электростатического разряда диод в корпусе SOT23NXP Semiconductors
10315PESD5V0U2BMУльтра низкая емкость двунаправленный массив двойная защита ESDNXP Semiconductors
10316PESD5V0U2BMBУльтра низкая емкость двунаправленный массив двойная защита ESDNXP Semiconductors
10317PESD5V0U2BTУльтра низкая емкость двунаправленный двойная защита ОУР диодNXP Semiconductors
10318PESD5V0U4BFУльтра низкая емкость двунаправленный четырехместные массивы защиты ESDNXP Semiconductors
10319PESD5V0U4BWУльтра низкая емкость двунаправленный четырехместные массивы защиты ESDNXP Semiconductors
10320PESD5V0U5BFУльтра массивы защиты низкой двунаправленный емкость в пять раз ОУРNXP Semiconductors
10321PESD5V0U5BVУльтра массивы защиты низкой двунаправленный емкость в пять раз ОУРNXP Semiconductors
10322PESD5V0V1BAОчень низкая емкость диодов двунаправленный защиты ESDNXP Semiconductors
10323PESD5V0V1BBОчень низкая емкость диодов двунаправленный защиты ESDNXP Semiconductors
10324PESD5V0V1BCSFУльтра низкий профиль двунаправленный защита очень низким ОУР емкость диодNXP Semiconductors
10325PESD5V0V1BDSFОчень низкая емкость двунаправленный Защита от электростатического разряда диодNXP Semiconductors
10326PESD5V0V1BLОчень низкая емкость диодов двунаправленный защиты ESDNXP Semiconductors
10327PESD5V0V1BLDОчень низкая емкость двунаправленный Защита от электростатического разряда диодNXP Semiconductors
10328PESD5V0V1BSFУльтра низкий профиль двунаправленный защита очень низким ОУР емкость диодNXP Semiconductors
10329PESD5V0V1USFОчень низкая емкость однонаправленного Защита от электростатического разряда диодNXP Semiconductors
10330PESD5V0V4UFОчень низкая емкость однонаправленного четверка Защита от электростатического разряда диодные линейкиNXP Semiconductors
10331PESD5V0V4UGОчень низкая емкость однонаправленного четверка Защита от электростатического разряда диодные линейкиNXP Semiconductors
10332PESD5V0V4UKОчень низкая емкость однонаправленного четверка Защита от электростатического разряда диодные линейкиNXP Semiconductors
10333PESD5V0V4UWОчень низкая емкость однонаправленного четверка Защита от электростатического разряда диодные линейкиNXP Semiconductors
10334PESD5V0X1BCALЧрезвычайно низкая емкость двунаправленный Защита от электростатического разряда диодNXP Semiconductors
10335PESD5V0X1BCLЧрезвычайно низкая емкость двунаправленный Защита от электростатического разряда диодNXP Semiconductors
10336PESD5V0X1BLУльтра диод малой емкости защиты двунаправленный ОУРNXP Semiconductors
10337PESD5V0X1BQУльтра диоды малой емкости защиты двунаправленный ОУРNXP Semiconductors
10338PESD5V0X1BTУльтра диоды малой емкости защиты двунаправленный ОУРNXP Semiconductors
10339PESD5V0X1UABУльтра диод малой емкости защиты однонаправленный ОУРNXP Semiconductors
10340PESD5V0X1UALDУльтра диод малой емкости защиты однонаправленный ОУРNXP Semiconductors
10341PESD5V0X1UBУльтра диод малой емкости защиты однонаправленный ОУРNXP Semiconductors
10342PESD5V0X1ULDУльтра диод малой емкости защиты однонаправленный ОУРNXP Semiconductors
10343PESD5V0X2UAMУльтра низкая емкость однонаправленного двойная защита ОУР диодNXP Semiconductors
10344PESD5V0X2UAMBУльтра низкая емкость однонаправленного двойная защита ОУР диодNXP Semiconductors
10345PESD5V0X2UMУльтра низкая емкость однонаправленного двойная защита ОУР диодNXP Semiconductors
10346PESD5V0X2UMBУльтра низкая емкость однонаправленного двойная защита ОУР диодNXP Semiconductors
10347PESD5V2S2UTДвойные защитные диоды ОУР в корпусе SOT23NXP Semiconductors
10348PESD5Z12Низкая емкость диодов однонаправленный защиты ESDNXP Semiconductors
10349PESD5Z2.5Низкая емкость диодов однонаправленный защиты ESDNXP Semiconductors
10350PESD5Z3.3Низкая емкость диодов однонаправленный защиты ESDNXP Semiconductors
10351PESD5Z5.0Низкая емкость диодов однонаправленный защиты ESDNXP Semiconductors
10352PESD5Z6.0Низкая емкость диодов однонаправленный защиты ESDNXP Semiconductors
10353PESD5Z7.0Низкая емкость диодов однонаправленный защиты ESDNXP Semiconductors
10354PESD6V0L2UUНизкая емкость диодов однонаправленный защиты ESDNXP Semiconductors
10355PESD9V0V4UKОчень низкая емкость однонаправленного четверка Защита от электростатического разряда диодные линейкиNXP Semiconductors
10356PESD9X5.0LОдносторонние защитные диоды ОУРNXP Semiconductors
10357PESD9X7.0LОдносторонние защитные диоды ОУРNXP Semiconductors



10358PH20100SN-канальные TrenchMOS стандартный уровень FETNXP Semiconductors
10359PH2520UN-канальные TrenchMOS ультра FET низкий уровеньNXP Semiconductors
10360PH2925UN-канальные TrenchMOS ультра FET низкий уровеньNXP Semiconductors
10361PH3120LN-канальный полевой транзистор логика TrenchMOS уровеньNXP Semiconductors
10362PH4840SN-канальные TrenchMOS промежуточный уровень FETNXP Semiconductors
10363PH955LN-канальный полевой транзистор логика TrenchMOS уровеньNXP Semiconductors
10364PHB110NQ08TN-канальные TrenchMOS стандартный уровень FETNXP Semiconductors
10365PHB18NQ10TN-канальные TrenchMOS стандартный уровень FETNXP Semiconductors
10366PHB191NQ06LTN-канальный полевой транзистор логика TrenchMOS уровеньNXP Semiconductors
10367PHB20N06TN-канальные TrenchMOS стандартный уровень FETNXP Semiconductors
10368PHB20NQ20TN-канальные TrenchMOS стандартный уровень FETNXP Semiconductors
10369PHB21N06LTN-канальный полевой транзистор логика TrenchMOS уровеньNXP Semiconductors
10370PHB27NQ10TN-канальные TrenchMOS стандартный уровень FETNXP Semiconductors
10371PHB29N08TN-канальные TrenchMOS стандартный уровень FETNXP Semiconductors
10372PHB32N06LTN-канальный полевой транзистор логика TrenchMOS уровеньNXP Semiconductors
10373PHB33NQ20TN-канальные TrenchMOS стандартный уровень FETNXP Semiconductors
10374PHB45NQ10TN-канальные TrenchMOS стандартный уровень FETNXP Semiconductors
10375PHB45NQ15TN-канальные TrenchMOS стандартный уровень FETNXP Semiconductors
10376PHB47NQ10TN-канальные TrenchMOS стандартный уровень FETNXP Semiconductors
10377PHB66NQ03LTN-канальный полевой транзистор логика TrenchMOS уровеньNXP Semiconductors
10378PHC21025Дополнительные FET промежуточный уровеньNXP Semiconductors
10379PHC2300Режим повышения Дополнительные МОП-транзисторовNXP Semiconductors
10380PHD101NQ03LTN-канальный полевой транзистор логика TrenchMOS уровеньNXP Semiconductors
10381PHD13003CNPN транзистор питания со встроенным диодомNXP Semiconductors
10382PHD13005NPN транзистор питания со встроенным диодомNXP Semiconductors
10383PHD20N06TN-канальные TrenchMOS стандартный уровень FETNXP Semiconductors
10384PHD38N02LTN-канальный полевой транзистор логика TrenchMOS уровеньNXP Semiconductors
10385PHD71NQ03LTN-канальный полевой транзистор логика TrenchMOS уровеньNXP Semiconductors
10386PHD97NQ03LTN-канальный полевой транзистор логика TrenchMOS уровеньNXP Semiconductors
10387PHD9NQ20TN-канальные TrenchMOS стандартный уровень FETNXP Semiconductors
10388PHE13003ANPN транзистор питанияNXP Semiconductors
10389PHE13003CNPN транзистор питанияNXP Semiconductors
10390PHE13005Кремний рассеянный силовой транзисторNXP Semiconductors
10391PHE13005XКремний рассеянный силовой транзисторNXP Semiconductors
10392PHE13007NPN транзистор питанияNXP Semiconductors
10393PHE13009NPN транзистор питанияNXP Semiconductors
10394PHK04P02TP-канальный вертикальный D-MOS логический уровень FETNXP Semiconductors
10395PHK12NQ03LTN-канальный полевой транзистор логика TrenchMOS уровеньNXP Semiconductors
10396PHK12NQ10TN-канальные TrenchMOS стандартный уровень FETNXP Semiconductors
10397PHK13N03LTN-канальный полевой транзистор логика TrenchMOS уровеньNXP Semiconductors
10398PHK18NQ03LTN-канальный полевой транзистор логика TrenchMOS уровеньNXP Semiconductors
10399PHK28NQ03LTN-канальный полевой транзистор логика TrenchMOS уровеньNXP Semiconductors
10400PHK31NQ03LTN-канальный полевой транзистор логика TrenchMOS уровеньNXP Semiconductors

Страница: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 | 109 | 110 | 111 | 112 | 113 | 114 | 115 | 116 | 117 | 118 | 119 | 120 | 121 | 122 | 123 | 124 | 125 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/ru/nxpsemiconductors/1/