Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
185361 | ALD1107SB | Le P-canal de QUAD/dual A ASSORTI LA RANGÉE de Transistor MOSFET de PAIRE | Advanced Linear Devices |
185362 | ALD1108E | La PRÉCISION de QUAD/dual EPAD® A ASSORTI LA RANGÉE de Transistor MOSFET De N-canal de PAIRE | Advanced Linear Devices |
185363 | ALD1108EDC | La PRÉCISION de QUAD/dual EPAD® A ASSORTI LA RANGÉE de Transistor MOSFET De N-canal de PAIRE | Advanced Linear Devices |
185364 | ALD1108EPC | La PRÉCISION de QUAD/dual EPAD® A ASSORTI LA RANGÉE de Transistor MOSFET De N-canal de PAIRE | Advanced Linear Devices |
185365 | ALD1108ESC | La PRÉCISION de QUAD/dual EPAD® A ASSORTI LA RANGÉE de Transistor MOSFET De N-canal de PAIRE | Advanced Linear Devices |
185366 | ALD1110E | La PRÉCISION de QUAD/dual EPAD® A ASSORTI LA RANGÉE de Transistor MOSFET De N-canal de PAIRE | Advanced Linear Devices |
185367 | ALD1110EDA | La PRÉCISION de QUAD/dual EPAD® A ASSORTI LA RANGÉE de Transistor MOSFET De N-canal de PAIRE | Advanced Linear Devices |
185368 | ALD1110EDC | Quad double dispositif / programmable électriquement analogique | Advanced Linear Devices |
185369 | ALD1110EPA | La PRÉCISION de QUAD/dual EPAD® A ASSORTI LA RANGÉE de Transistor MOSFET De N-canal de PAIRE | Advanced Linear Devices |
185370 | ALD1110EPC | Quad double dispositif / programmable électriquement analogique | Advanced Linear Devices |
185371 | ALD1110ESA | La PRÉCISION de QUAD/dual EPAD® A ASSORTI LA RANGÉE de Transistor MOSFET De N-canal de PAIRE | Advanced Linear Devices |
185372 | ALD1110ESC | Quad double dispositif / programmable électriquement analogique | Advanced Linear Devices |
185373 | ALD1116 | RANGÉE de Transistor MOSFET de PAIRE ASSORTIE Parcanal de QUAD/dual | Advanced Linear Devices |
185374 | ALD1116DA | RANGÉE de Transistor MOSFET de PAIRE ASSORTIE Parcanal de QUAD/dual | Advanced Linear Devices |
185375 | ALD1116DB | Quad / double canal N correspond gamme de MOSFET | Advanced Linear Devices |
185376 | ALD1116PA | RANGÉE de Transistor MOSFET de PAIRE ASSORTIE Parcanal de QUAD/dual | Advanced Linear Devices |
185377 | ALD1116PB | Quad / double canal N correspond gamme de MOSFET | Advanced Linear Devices |
185378 | ALD1116SA | RANGÉE de Transistor MOSFET de PAIRE ASSORTIE Parcanal de QUAD/dual | Advanced Linear Devices |
185379 | ALD1116SB | Quad / double canal N correspond gamme de MOSFET | Advanced Linear Devices |
185380 | ALD1117 | Le P-canal de QUAD/dual A ASSORTI LA RANGÉE de Transistor MOSFET de PAIRE | Advanced Linear Devices |
185381 | ALD1117DA | Le P-canal de QUAD/dual A ASSORTI LA RANGÉE de Transistor MOSFET de PAIRE | Advanced Linear Devices |
185382 | ALD1117DB | Quad / P-canal double correspond gamme de MOSFET | Advanced Linear Devices |
185383 | ALD1117PA | Le P-canal de QUAD/dual A ASSORTI LA RANGÉE de Transistor MOSFET de PAIRE | Advanced Linear Devices |
185384 | ALD1117PB | Quad / P-canal double correspond gamme de MOSFET | Advanced Linear Devices |
185385 | ALD1117SA | Le P-canal de QUAD/dual A ASSORTI LA RANGÉE de Transistor MOSFET de PAIRE | Advanced Linear Devices |
185386 | ALD1117SB | Quad / P-canal double correspond gamme de MOSFET | Advanced Linear Devices |
185387 | ALD112 | LD-relais. 1 forme puissance mince relais. Tension nominale de 12 V DC. | Matsushita Electric Works(Nais) |
185388 | ALD1121E | La PRÉCISION de QUAD/dual EPAD® A ASSORTI LA RANGÉE de Transistor MOSFET De N-canal de PAIRE | Advanced Linear Devices |
185389 | ALD1121EPA | La PRÉCISION de QUAD/dual EPAD® A ASSORTI LA RANGÉE de Transistor MOSFET De N-canal de PAIRE | Advanced Linear Devices |
185390 | ALD1121ESA | La PRÉCISION de QUAD/dual EPAD® A ASSORTI LA RANGÉE de Transistor MOSFET De N-canal de PAIRE | Advanced Linear Devices |
185391 | ALD1123E | La PRÉCISION de QUAD/dual EPAD® A ASSORTI LA RANGÉE de Transistor MOSFET De N-canal de PAIRE | Advanced Linear Devices |
185392 | ALD1123EPC | La PRÉCISION de QUAD/dual EPAD® A ASSORTI LA RANGÉE de Transistor MOSFET De N-canal de PAIRE | Advanced Linear Devices |
185393 | ALD1123ESC | La PRÉCISION de QUAD/dual EPAD® A ASSORTI LA RANGÉE de Transistor MOSFET De N-canal de PAIRE | Advanced Linear Devices |
185394 | ALD11726EPA | Amplificateurs opérationnels ultra bas des lbias CMOS d'E-Trimmable Vos @ | Advanced Linear Devices |
185395 | ALD118 | LD-relais. 1 forme puissance mince relais. Tension nominale 18 V DC. | Matsushita Electric Works(Nais) |
185396 | ALD124 | LD-relais. 1 forme puissance mince relais. Tension nominale de 24 V DC. | Matsushita Electric Works(Nais) |
185397 | ALD1502 | TEMPORISATEUR À GRANDE VITESSE DE MICROPUISSANCE DE PRÉCISION DE SINGLE/dual | Advanced Linear Devices |
185398 | ALD1502DA | TEMPORISATEUR À GRANDE VITESSE DE MICROPUISSANCE DE PRÉCISION DE SINGLE/dual | Advanced Linear Devices |
185399 | ALD1502DB | Simple / double précision haute vitesse microcentrales minuterie | Advanced Linear Devices |
185400 | ALD1502PA | TEMPORISATEUR À GRANDE VITESSE DE MICROPUISSANCE DE PRÉCISION DE SINGLE/dual | Advanced Linear Devices |
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