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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
253321BCM95695R24X2SStrataXGS II™ Conception De Référence de la GE 24-portBroadcom
253322BCM97110Plateforme D'un seul morceau De Développement De Boîte De Placer-Dessus de DOCSIS 1.1/pvrBroadcom
253323BCM97315Conception De Référence De Boîte De Placer-Dessus de DBSBroadcom
253324BCM97318Conception De Référence De Boîte De Placer-Dessus d'cIpBroadcom
253325BCM97395Plateforme De Référence Du Canal Double AVC HDBroadcom
253326BCP22 x 22 Ta2 N En arrière-Mettent en contact sur le silicium avec la marque de partie <! - - --> SIMPLE de --><!-- hybrideVishay
253327BCP28Transistors de Darlington - transistor de Darlington de silicium de PNP pour des applications générales d'cAfInfineon
253328BCP28Transistor De Darlington De Silicium de PNPInfineon
253329BCP28Transistors de Darlington de silicium de PNP (pour le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'applications générales d'cAf)Siemens
253330BCP28E6327Transistor De Darlington De Silicium de PNPInfineon
253331BCP29Transistor de Darlington de silicium de NPN pour...Infineon
253332BCP29Transistors de Darlington de silicium de NPN (pour le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'applications générales d'cAf)Siemens
253333BCP48Transistors de Darlington - transistor de Darlington de silicium de PNP pour des applications générales d'cAfInfineon
253334BCP48Transistors de Darlington de silicium de PNP (pour le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'applications générales d'cAf)Siemens
253335BCP49Transistors de Darlington - transistor de Darlington de silicium de NPN pour des applications générales d'cAfInfineon
253336BCP49Transistor de Darlington de silicium de NPN pour...Infineon
253337BCP49Transistors de Darlington de silicium de NPN (pour le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'applications générales d'cAf)Siemens
253338BCP51Transistors de puissance moyens de PNPPhilips



253339BCP51TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE SOT223 PNPZetex Semiconductors
253340BCP51Transistors Tout usage - SOT223; VCEO=45v; hFE=40..250Infineon
253341BCP51Transistor d'cAf de silicium de PNP pour le driv d'cAf...Infineon
253342BCP51Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour le courant élevé de conducteur d'cAf et de collecteur d'étapes de rendement)Siemens
253343BCP51Transistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
253344BCP51Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-ÉpitaxialDiotec Elektronische
253345BCP5145 V, 1 A PNP transistor de puissance moyenneNXP Semiconductors
253346BCP51PNP MOYENNES TRANSISTORS DE PUISSANCE DANS SOT223Diodes
253347BCP51-10TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE SOT223 PNPZetex Semiconductors
253348BCP51-10Transistors Tout usage - SOT223; VCEO=45v; hFE=63..160Infineon
253349BCP51-10Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour le courant élevé de conducteur d'cAf et de collecteur d'étapes de rendement)Siemens
253350BCP51-1045 V, 1 A PNP transistor de puissance moyenneNXP Semiconductors
253351BCP51-16Transistors de puissance moyens de PNPPhilips
253352BCP51-16TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE SOT223 PNPZetex Semiconductors
253353BCP51-16Transistors Tout usage - SOT223; VCEO=45v; hFE=100..250Infineon
253354BCP51-16Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour le courant élevé de conducteur d'cAf et de collecteur d'étapes de rendement)Siemens
253355BCP51-1645 V, 1 A PNP transistor de puissance moyenneNXP Semiconductors
253356BCP51-BCP53Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour le courant élevé de conducteur d'cAf et de collecteur d'étapes de rendement)Siemens
253357BCP5110DésuetZetex Semiconductors
253358BCP5110PNP MOYENNES TRANSISTORS DE PUISSANCE DANS SOT223Diodes
253359BCP5110TAPNP MOYENNES TRANSISTORS DE PUISSANCE DANS SOT223Diodes
253360BCP5116DésuetZetex Semiconductors
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