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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
257441BD5354GDétecteur de tension, 5.4VROHM
257442BD5354G/FVE> de détecteurs de tension; L'cIc de détecteur de tension de CMOS avec C externe retarde le circuit (le CMOS a produit le type)ROHM
257443BD5355IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257444BD5355IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257445BD5355FVEDétecteur de tension 5.5VROHM
257446BD5355GDétecteur de tension 5.5VROHM
257447BD5355G/FVE> de détecteurs de tension; L'cIc de détecteur de tension de CMOS avec C externe retarde le circuit (le CMOS a produit le type)ROHM
257448BD5356IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257449BD5356IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257450BD5356FVEDétecteur de tension, 5.6VROHM
257451BD5356GDétecteur de tension, 5.6VROHM
257452BD5356G/FVE> de détecteurs de tension; L'cIc de détecteur de tension de CMOS avec C externe retarde le circuit (le CMOS a produit le type)ROHM
257453BD5357IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257454BD5357IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257455BD5357FVEDétecteur de tension, 5.7VROHM
257456BD5357GDétecteur de tension, 5.7VROHM
257457BD5357G/FVE> de détecteurs de tension; L'cIc de détecteur de tension de CMOS avec C externe retarde le circuit (le CMOS a produit le type)ROHM
257458BD5358IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257459BD5358IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc



257460BD5358FVEDétecteur de tension, 5.8VROHM
257461BD5358GDétecteur de tension, 5.8VROHM
257462BD5358G/FVE> de détecteurs de tension; L'cIc de détecteur de tension de CMOS avec C externe retarde le circuit (le CMOS a produit le type)ROHM
257463BD5359IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257464BD5359IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257465BD5359FVEDétecteur de tension, 5.9VROHM
257466BD5359GDétecteur de tension, 5.9VROHM
257467BD5359G/FVE> de détecteurs de tension; L'cIc de détecteur de tension de CMOS avec C externe retarde le circuit (le CMOS a produit le type)ROHM
257468BD535JTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
257469BD536Transistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
257470BD536TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMST Microelectronics
257471BD536TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
257472BD536TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
257473BD53650.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 8.000A Ic, 20 hFE.Continental Device India Limited
257474BD536Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. -60V, 50W.General Electric Solid State
257475BD536transistor de puissance PNP plastique complémentaire de silicium. 60 V, 4 A, 50 W.Motorola
257476BD5360IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257477BD5360IC DE DÉTECTEUR DE TENSIONetc
257478BD5360FVEDétecteur de tension, 6.0VROHM
257479BD5360GDétecteur de tension 6VROHM
257480BD5360G/FVE> de détecteurs de tension; L'cIc de détecteur de tension de CMOS avec C externe retarde le circuit (le CMOS a produit le type)ROHM
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