| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 274161 | BUK9C07-65BIT | N-canal niveau logique de FET TrenchPLUS | NXP Semiconductors |
| 274162 | BUK9C10-65BIT | N-canal niveau logique de FET TrenchPLUS | NXP Semiconductors |
| 274163 | BUK9E04-30B | FET de niveau de logique de Trenchmos (tm) | Philips |
| 274164 | BUK9E04-30B | FET de niveau de logique de Trenchmos (tm) | Philips |
| 274165 | BUK9E04-30B | Buk9e04-30b; FET de niveau de logique de Trenchmos (tm) | Philips |
| 274166 | BUK9E04-30B | N-canal niveau logique TrenchMOS FET | NXP Semiconductors |
| 274167 | BUK9E04-40A | FET de niveau de logique de TrenchMOS(tm) | Philips |
| 274168 | BUK9E04-40A | N-canal niveau logique TrenchMOS FET | NXP Semiconductors |
| 274169 | BUK9E06-55A | FET de niveau de logique de TrenchMOSª | Philips |
| 274170 | BUK9E06-55A | N-canal niveau logique TrenchMOS FET | NXP Semiconductors |
| 274171 | BUK9E06-55B | FET de niveau de logique de TrenchMOS(TM) | Philips |
| 274172 | BUK9E06-55B | N-canal niveau logique TrenchMOS FET | NXP Semiconductors |
| 274173 | BUK9E08-55B | FET de niveau de logique de Trenchmos (tm) | Philips |
| 274174 | BUK9E08-55B | FET de niveau de logique de Trenchmos (tm) | Philips |
| 274175 | BUK9E08-55B | N-canal niveau logique TrenchMOS FET | NXP Semiconductors |
| 274176 | BUK9E15-60E | N-canal niveau logique TrenchMOS FET | NXP Semiconductors |
| 274177 | BUK9E1R6-30E | N-canal niveau logique TrenchMOS FET | NXP Semiconductors |
| 274178 | BUK9E1R9-40E | N-canal 40 V, 1,9 mQ niveau logique MOSFET en I ² PAK | NXP Semiconductors |
| 274179 | BUK9E2R3-40E | N-canal niveau logique TrenchMOS FET | NXP Semiconductors |
| 274180 | BUK9E2R8-60E | N-canal niveau logique TrenchMOS FET | NXP Semiconductors |
| 274181 | BUK9E3R2-40B | FET de niveau de logique de Trenchmos (tm) | Philips |
| 274182 | BUK9E3R2-40B | FET de niveau de logique de Trenchmos (tm) | Philips |
| 274183 | BUK9E3R2-40B | N-canal niveau logique TrenchMOS FET | NXP Semiconductors |
| 274184 | BUK9E3R2-40E | N-canal niveau logique TrenchMOS FET | NXP Semiconductors |
| 274185 | BUK9E3R7-60E | N-canal niveau logique TrenchMOS FET | NXP Semiconductors |
| 274186 | BUK9E4R4-40B | FET de niveau de logique de Trenchmos (tm) | Philips |
| 274187 | BUK9E4R4-40B | FET de niveau de logique de Trenchmos (tm) | Philips |
| 274188 | BUK9E4R4-40B | N-canal niveau logique TrenchMOS FET | NXP Semiconductors |
| 274189 | BUK9E4R4-80E | N-canal niveau logique TrenchMOS FET | NXP Semiconductors |
| 274190 | BUK9E4R9-60E | N-canal niveau logique TrenchMOS FET | NXP Semiconductors |
| 274191 | BUK9E6R1-100E | N-canal niveau logique TrenchMOS FET | NXP Semiconductors |
| 274192 | BUK9E8R5-40E | N-canal niveau logique TrenchMOS FET | NXP Semiconductors |
| 274193 | BUK9K12-60E | Double canal N 60 V, 11,5 mQ niveau logique MOSFET | NXP Semiconductors |
| 274194 | BUK9K134-100E | Canal N Dual 100 V, 159 mQ niveau logique MOSFET | NXP Semiconductors |
| 274195 | BUK9K17-60E | Double canal N 60 V, 17 mQ niveau logique MOSFET | NXP Semiconductors |
| 274196 | BUK9K18-40E | Double canal N 40 V, 19,5 mQ niveau logique MOSFET | NXP Semiconductors |
| 274197 | BUK9K25-40E | Double canal N 40 V, 29 mQ niveau logique MOSFET | NXP Semiconductors |
| 274198 | BUK9K29-100E | Canal N Dual 100 V, 29 mQ niveau logique MOSFET | NXP Semiconductors |
| 274199 | BUK9K32-100E | Canal N Dual 100 V, 33 mQ niveau logique MOSFET | NXP Semiconductors |
| 274200 | BUK9K35-60E | Double canal N 60 V, 35 mQ niveau logique MOSFET | NXP Semiconductors |
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