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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
312761CJ431SOURCE PRÉCISE RÉGLABLE DE RÉFÉRENCEUnknow
312762CJ7815ÉLECTRON Cie., Ltd d'YUAN de DONG GUAN SHI HUA.DONG GUAN SHI HUA YUAN ELECTRON CO.
312763CJ78L05RÉGULATEUR DE TENSION TROIS POSITIF TERMINALUnknow
312764CJ78L06RÉGULATEUR DE TENSION TROIS POSITIF TERMINALUnknow
312765CJ78L08RÉGULATEUR DE TENSION TROIS POSITIF TERMINALUnknow
312766CJ78L09Régulateur de tension positif de Three_terminalUnknow
312767CJ79L08TROIS TENSION NÉGATIVE TERMINALE REGULATRORUnknow
312768CJA03N10-HFHalogčne MOSFET gratuit, V DS = 100V, je iD = 3A, P D = 500mWComchip Technology
312769CJD112TRANSISTOR COMPLÉMENTAIRE DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMCentral Semiconductor
312770CJD117TRANSISTOR COMPLÉMENTAIRE DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMCentral Semiconductor
312771CJD122Transistor De Puissance Bipolaire de SMD NPN DarlingtonCentral Semiconductor
312772CJD122-NPNTRANSISTOR COMPLÉMENTAIRE DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMCentral Semiconductor
312773CJD122NPNTRANSISTOR COMPLÉMENTAIRE DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMCentral Semiconductor
312774CJD122NPNTRANSISTOR COMPLÉMENTAIRE DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMCentral Semiconductor
312775CJD127Transistor De Puissance Bipolaire de SMD PNP DarlingtonCentral Semiconductor
312776CJD127PNPTRANSISTOR COMPLÉMENTAIRE DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMCentral Semiconductor
312777CJD127PNPTRANSISTOR COMPLÉMENTAIRE DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUMCentral Semiconductor
312778CJD13003TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNCentral Semiconductor
312779CJD200TRANSISTOR DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRE DE SILICIUMCentral Semiconductor



312780CJD210TRANSISTOR DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRE DE SILICIUMCentral Semiconductor
312781CJD2955TRANSISTOR DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRE DE SILICIUMCentral Semiconductor
312782CJD3055TRANSISTOR DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRE DE SILICIUMCentral Semiconductor
312783CJD31CTRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE COMLEMENTARYCentral Semiconductor
312784CJD32CUsage universel Bipolaire Amplifier/Switch Du Transistor De Puissance de SMD PNPCentral Semiconductor
312785CJD340TRANSISTOR DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRE DE SILICIUMCentral Semiconductor
312786CJD350Haute tension Bipolaire Du Transistor De Puissance de SMD PNPCentral Semiconductor
312787CJD41CUsage universel Bipolaire Amplifier/Switch Du Transistor De Puissance de SMD NPNCentral Semiconductor
312788CJD41CNPNTRANSISTOR DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRE DE SILICIUMCentral Semiconductor
312789CJD42CUsage universel Bipolaire Amplifier/Switch Du Transistor De Puissance de SMD PNPCentral Semiconductor
312790CJD42CPNPTRANSISTOR DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRE DE SILICIUMCentral Semiconductor
312791CJD44H11SILICIUM COMPLÉMENTAIRECentral Semiconductor
312792CJD45H11SILICIUM COMPLÉMENTAIRECentral Semiconductor
312793CJD47TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNCentral Semiconductor
312794CJD50TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNCentral Semiconductor
312795CJF10080.000W Darlington NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 8.000A Ic, 200 hFE. CJF105 complémentaireContinental Device India Limited
312796CJF10180.000W Darlington NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 8.000A Ic, 200 hFE. CJF106 complémentaireContinental Device India Limited
312797CJF10280.000W Darlington NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 8.000A Ic, 200 hFE. CJF107 complémentaireContinental Device India Limited
312798CJF10580.000W Darlington PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 8.000A Ic, 200 hFE. CJF100 complémentaireContinental Device India Limited
312799CJF10680.000W Darlington PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 8.000A Ic, 200 hFE. CJF101 complémentaireContinental Device India Limited
312800CJF10780.000W Darlington PNP Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 8.000A Ic, 200 hFE. CJF102 complémentaireContinental Device India Limited
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