| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 33601 | 1S2092 | TYPE PLANAIRE DU SILICIUM EPTAXIAL | TOSHIBA |
| 33602 | 1S2092 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 33603 | 1S2093 | DIODE PLANAIRE DE DÉCLENCHEMENT DE TYPE DE SILICIUM | TOSHIBA |
| 33604 | 1S2093 | Silicon plan de diode type de déclenchement. | Panasonic |
| 33605 | 1S2094 | DIODE VARIABLE DE CAPACITÉ | TOSHIBA |
| 33606 | 1S2094 | Le silicium épitaxiale de type planar diode à capacité variable. | Panasonic |
| 33607 | 1S2095A | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE TYPE DE SILICIUM | TOSHIBA |
| 33608 | 1S2095A | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 33609 | 1S2186 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM | TOSHIBA |
| 33610 | 1S2186 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 33611 | 1S2236 | DIODE VARIABLE DE CAPACITÉ DE TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM | TOSHIBA |
| 33612 | 1S2236 | Le silicium épitaxiale de type planar diode à capacité variable. | Panasonic |
| 33613 | 1S2460 | APPLICATIONS TOUT USAGE DE REDRESSEUR. | TOSHIBA |
| 33614 | 1S2460 | Silicon plane de type diode. | Panasonic |
| 33615 | 1S2461 | APPLICATIONS TOUT USAGE DE REDRESSEUR. | TOSHIBA |
| 33616 | 1S2461 | Silicon plane de type diode. | Panasonic |
| 33617 | 1S2462 | APPLICATIONS TOUT USAGE DE REDRESSEUR. | TOSHIBA |
| 33618 | 1S2462 | Silicon plane de type diode. | Panasonic |
| 33619 | 1S2638 | Diode Du Tuner AFC | Honey Technology |
| 33620 | 1S2638 | DIODE DU TUNER AFC | Semtech |
| 33621 | 1S2711 | DIODE RAPIDE DE RÉTABLISSEMENT | TOSHIBA |
| 33622 | 1S2835 | Diode De Commutation De Silicium | NEC |
| 33623 | 1S2835-L | Diode De Commutation De Silicium | NEC |
| 33624 | 1S2835-T1B | Diode De Commutation De Silicium | NEC |
| 33625 | 1S2835-T2B | Diode De Commutation De Silicium | NEC |
| 33626 | 1S2836 | Diode de commutation de silicium | NEC |
| 33627 | 1S2836-L | Diode de commutation de silicium | NEC |
| 33628 | 1S2836-T1B | Diode de commutation de silicium | NEC |
| 33629 | 1S2836-T2B | Diode de commutation de silicium | NEC |
| 33630 | 1S2837 | Diode de commutation de silicium | NEC |
| 33631 | 1S2837-L | Diode de commutation de silicium | NEC |
| 33632 | 1S2837-T1B | Diode de commutation de silicium | NEC |
| 33633 | 1S2837-T2B | Diode de commutation de silicium | NEC |
| 33634 | 1S2838 | Diode de commutation de silicium | NEC |
| 33635 | 1S2838-L | Diode de commutation de silicium | NEC |
| 33636 | 1S2838-T1B | Diode de commutation de silicium | NEC |
| 33637 | 1S2838-T2B | Diode de commutation de silicium | NEC |
| 33638 | 1S3 | BARRIÈRE RECTIFIERS(voltage - 20 à 100 volts de SCHOTTKY de 1 AMPÈRE de COURANT - 1,0 ampères) | Panjit International Inc |
| 33639 | 1S3 | SPECIFICTIONS TECHNIQUE DE REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY | DC Components |
| 33640 | 1S30 | REDRESSEURS DE BARRIÈRE DE 1,0 AMPÈRES SCHOTTKY | Formosa MS |
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