Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
354201 | D1213A-02SR-7 | 2 CHANNEL faible capacité réseau de diodes TVS | Diodes |
354202 | D1213A-02WL | 2 CHANNEL faible capacité réseau de diodes TVS | Diodes |
354203 | D1213A-02WL-7 | 2 CHANNEL faible capacité réseau de diodes TVS | Diodes |
354204 | D1213A-04MR | 4 CHANNEL faible capacité réseau de diodes TVS | Diodes |
354205 | D1213A-04MR-13 | 4 CHANNEL faible capacité réseau de diodes TVS | Diodes |
354206 | D1213A-04S | 4 CHANNEL faible capacité réseau de diodes TVS | Diodes |
354207 | D1213A-04S-7 | 4 CHANNEL faible capacité réseau de diodes TVS | Diodes |
354208 | D1213A-04SO | 4 CHANNEL faible capacité réseau de diodes TVS | Diodes |
354209 | D1213A-04SO-7 | 4 CHANNEL faible capacité réseau de diodes TVS | Diodes |
354210 | D1213A-04TS | 4 CHANNEL faible capacité réseau de diodes TVS | Diodes |
354211 | D1213A-04TS-7 | 4 CHANNEL faible capacité réseau de diodes TVS | Diodes |
354212 | D1213A-04V | 4 CHANNEL faible capacité réseau de diodes TVS | Diodes |
354213 | D1213UK | FET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTAL | SemeLAB |
354214 | D1217 | FET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTAL | SemeLAB |
354215 | D1217U | DÉTAILS DE CASSETTE | etc |
354216 | D1217UK | FET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTAL | SemeLAB |
354217 | D1218UK | FET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTAL | SemeLAB |
354218 | D1221UK | L'OR A MÉTALLISÉ LE FET UNIVERSEL 10W - 12.5V DU SILICIUM DMOS RF -SIMPLE 175MHZ FINI | SemeLAB |
354219 | D1222UK | L'OR A MÉTALLISÉ LE FET UNIVERSEL 60W - 12.5V DU SILICIUM DMOS RF -175MHZ PUSH-PULL | SemeLAB |
354220 | D1231UK | FET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTAL | SemeLAB |
354221 | D1260 | FET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTAL | SemeLAB |
354222 | D1260UK | FET DE SILICIUM DE LA PORTE RF EN MÉTAL | SemeLAB |
354223 | D1267 | Conducteur Vertical D'Horloge de CCD | SONY |
354224 | D126A | Diodes De Redresseur De Puissance | Eupec |
354225 | D12V0H1U2LP | 1 canal unidirectionnel TVS | Diodes |
354226 | D12V0H1U2LP-7B | 1 canal unidirectionnel TVS | Diodes |
354227 | D12V0H1U2WS | 1 canal unidirectionnel TVS | Diodes |
354228 | D12V0H1U2WS-7 | 1 canal unidirectionnel TVS | Diodes |
354229 | D12V0L1B2LP | Faible capacité BIDIRECTIONNEL TVS DIODE | Diodes |
354230 | D12V0L1B2LP-7B | Faible capacité BIDIRECTIONNEL TVS DIODE | Diodes |
354231 | D12V0M1U2S9 | 12V UNIDIRECTIONNEL TVS DIODE | Diodes |
354232 | D12V0M1U2S9-7 | 12V UNIDIRECTIONNEL TVS DIODE | Diodes |
354233 | D130_02 | Redresseur à diodes. Tout usage de haute puissance des diodes de redressement, redresseurs non contrôlables et contrôlées moitié. Vrrm = 200V, 300V = Vrsm. | USHA India LTD |
354234 | D130_04 | Redresseur à diodes. Tout usage de haute puissance des diodes de redressement, redresseurs non contrôlables et contrôlées moitié. Vrrm = 400V, 500V = Vrsm. | USHA India LTD |
354235 | D130_08 | Redresseur à diodes. Tout usage de haute puissance des diodes de redressement, redresseurs non contrôlables et contrôlées moitié. Vrrm = 800V, 900V = Vrsm. | USHA India LTD |
354236 | D130_12 | Redresseur à diodes. Tout usage de haute puissance des diodes de redressement, redresseurs non contrôlables et contrôlées moitié. Vrrm = 1200V, Vrsm = 1300V. | USHA India LTD |
354237 | D130_16 | Redresseur à diodes. Tout usage de haute puissance des diodes de redressement, redresseurs non contrôlables et contrôlées moitié. Vrrm = 1600V, Vrsm = 1700V. | USHA India LTD |
354238 | D14006 | Registre à décalage 18-bit Statique | Hitachi Semiconductor |
354239 | D14008 | Plein Additionneur 4-bit | Hitachi Semiconductor |
354240 | D142 | Commutateur de point de croisement | Semtech |
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