| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 392961 | EC2-9SNP | CONTRAT ET TAILLE LÉGÈRE ET PETITE DE SUPPORT, TENSION CLAQUE ÉLEVÉE | NEC |
| 392962 | EC2-9SNU | CONTRAT ET TAILLE LÉGÈRE ET PETITE DE SUPPORT, TENSION CLAQUE ÉLEVÉE | NEC |
| 392963 | EC2-9T | CONTRAT ET TAILLE LÉGÈRE ET PETITE DE SUPPORT, TENSION CLAQUE ÉLEVÉE | NEC |
| 392964 | EC2-9TNJ | CONTRAT ET TAILLE LÉGÈRE ET PETITE DE SUPPORT, TENSION CLAQUE ÉLEVÉE | NEC |
| 392965 | EC2-9TNP | CONTRAT ET TAILLE LÉGÈRE ET PETITE DE SUPPORT, TENSION CLAQUE ÉLEVÉE | NEC |
| 392966 | EC2-9TNU | CONTRAT ET TAILLE LÉGÈRE ET PETITE DE SUPPORT, TENSION CLAQUE ÉLEVÉE | NEC |
| 392967 | EC21QS03L | TAILLE MINIATURE DE SBD, DISPOSITIF EXTÉRIEUR DE BÂTI | Nihon |
| 392968 | EC21QS06 | TAILLE MINIATURE DE SBD, DISPOSITIF EXTÉRIEUR DE BÂTI | Nihon |
| 392969 | EC2612 | 40GHz Bas Bruit Superbe PHEMT | United Monolithic Semiconductors |
| 392970 | EC2612-99F/00 | 40GHz Bas Bruit Superbe PHEMT | United Monolithic Semiconductors |
| 392971 | EC2C01C | Diodes De Varactor | SANYO |
| 392972 | EC2D01B | Petites Diodes De Barrière De Schottky De Signal | SANYO |
| 392973 | EC2D02B | Petites Diodes De Barrière De Schottky De Signal | SANYO |
| 392974 | EC30HA04 | Diode De Barrière De Schottky | Nihon |
| 392975 | EC3101C | Applications D'Amplificateur De Général-But De Bas-Fréquence | SANYO |
| 392976 | EC31QS09 | Basse diode de chute de tension vers l'avant | Nihon |
| 392977 | EC31QS10 | Basse diode de chute de tension vers l'avant | Nihon |
| 392978 | EC3201C | Applications D'Amplificateur De Général-But De Bas-Fréquence | SANYO |
| 392979 | EC3202C | Hauts-VEBO Transistors À gain élevé | SANYO |
| 392980 | EC3A01B | FETS De Jonction | SANYO |
| 392981 | EC3A01H | FETS De Jonction | SANYO |
| 392982 | EC3A01T | FETS De Jonction | SANYO |
| 392983 | EC3A02T | FETS De Jonction | SANYO |
| 392984 | EC3A03B | FETS De Jonction | SANYO |
| 392985 | EC3A03B | JFET N-Canal pour Impédance Convertisseurs et capteur infrarouge Applications | ON Semiconductor |
| 392986 | EC3A04B | JFET N-Canal pour Low Frequency General Purpose Amplifier et impédance Convertisseur Applications | ON Semiconductor |
| 392987 | EC3H01B | Bande planaire épitaxiale Amplifer à faible bruit de VHF de transistor de silicium de NPN et applications d'cOscillateur | SANYO |
| 392988 | EC3H02B | VHF planaire épitaxial de transistor de silicium de NPN aux applications à large bande à faible bruit À FRÉQUENCE ULTRA-haute d'amplificateur | SANYO |
| 392989 | EC3H02BA | VHF-UHF à large bande à faible bruit Amplificateur | ON Semiconductor |
| 392990 | EC3H02C | VHF planaire épitaxial de transistor de silicium de NPN aux applications à faible bruit à large bande À FRÉQUENCE ULTRA-haute d'amplificateur | SANYO |
| 392991 | EC3H03B | VHF planaire épitaxial de transistor de silicium de type de NPN à l'amplificateur à faible bruit à large bande À FRÉQUENCE ULTRA-haute et aux applications d'cOscillateur | SANYO |
| 392992 | EC3H04B | Transistor Planaire Épitaxial De Silicium De Type de NPN | SANYO |
| 392993 | EC3H04C | Amplificateur à faible bruit à haute fréquence de transistor planaire épitaxial de silicium de NPN et applications d'cOscillateur | SANYO |
| 392994 | EC3H05B | VHF planaire épitaxial de transistor de silicium de type de NPN aux applications à faible bruit à large bande À FRÉQUENCE ULTRA-haute d'amplificateur | SANYO |
| 392995 | EC3H06B | Fréquence ultra-haute planaire épitaxiale de transistor de silicium de NPN à l'amplificateur à faible bruit de bande de S et aux applications d'cOscillateur | SANYO |
| 392996 | EC3H07B | De NPN de silicium de transistor fréquence ultra-haute à faible bruit planaire épitaxiale de S d'à l'l'amplificateur de bande et transistor planaire épitaxial de silicium d'applications NPN d'cOscillateur | SANYO |
| 392997 | EC3H08B | Transistors D'Ultra-haut-Fréquence | SANYO |
| 392998 | EC3H09B | Transistors D'Ultra-haut-Fréquence | SANYO |
| 392999 | EC3H10B | Transistors D'Ultra-haut-Fréquence | SANYO |
| 393000 | EC3H11B | Transistors D'Ultra-haut-Fréquence | SANYO |
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