| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 48321 | 2N6080 | V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (EBO): 4V; transistor de communication VHF | SGS Thomson Microelectronics |
| 48322 | 2N6081 | Rf | Microsemi |
| 48323 | 2N6081 | Rf | Microsemi |
| 48324 | 2N6081 | V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (EBO): 4V; transistor de communication VHF | SGS Thomson Microelectronics |
| 48325 | 2N6082 | Transistors De Puissance Du Silicium Rf de NPN | Motorola |
| 48326 | 2N6082 | Transistor De Communications de VHF | ST Microelectronics |
| 48327 | 2N6082 | V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (EBO): 4V; transistor de communication VHF | SGS Thomson Microelectronics |
| 48328 | 2N6083 | Rf | Microsemi |
| 48329 | 2N6083 | Rf | Microsemi |
| 48330 | 2N6083 | V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (EBO): 4V; transistor de communication VHF | SGS Thomson Microelectronics |
| 48331 | 2N6084 | Rf | Microsemi |
| 48332 | 2N6084 | Rf | Microsemi |
| 48333 | 2N6084 | V (CBO): 36V; V (CEO): 18V; V (EBO): 4V; transistor de communication VHF | SGS Thomson Microelectronics |
| 48334 | 2N6099 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48335 | 2N6101 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48336 | 2N6101 | 75.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 70V VCEO, 10.000A Ic, 20 - 80 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48337 | 2N6103 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48338 | 2N6106 | Épitaxial-base, SILICIUM N-p-n ET TRANSISTORS De P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48339 | 2N6106 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -80V. | General Electric Solid State |
| 48340 | 2N6107 | TRANSISTORS DE COMMUTATION DU SILICIUM PNP | ST Microelectronics |
| 48341 | 2N6107 | TRANSISTORS DE COMMUTATION DU SILICIUM PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 48342 | 2N6107 | TRANSISTORS DE COMMUTATION DU SILICIUM PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 48343 | 2N6107 | PUISSANCE TRANSISTORS(7a, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48344 | 2N6107 | Épitaxial-base, SILICIUM N-p-n ET TRANSISTORS De P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48345 | 2N6107 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48346 | 2N6107 | Puissance 7A 70V PNP Discret | ON Semiconductor |
| 48347 | 2N6107 | 40.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 70V VCEO, 7.000A Ic, 2 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48348 | 2N6107 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -80V. | General Electric Solid State |
| 48349 | 2N6107 | Transistor de puissance PNP plastique de silicium. Conçu pour une utilisation dans les applications de commutation et d'amplification d'usage général. VCEO = 70Vdc, 80Vdc Vcb = VEB = 5Vdc Ic = 7Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
| 48350 | 2N6107-D | Transistors De Puissance En plastique De Silicium Complémentaire | ON Semiconductor |
| 48351 | 2N6108 | Épitaxial-base, SILICIUM N-p-n ET TRANSISTORS De P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48352 | 2N6108 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -60V. | General Electric Solid State |
| 48353 | 2N6109 | PUISSANCE TRANSISTORS(7a, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48354 | 2N6109 | Épitaxial-base, SILICIUM N-p-n ET TRANSISTORS De P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48355 | 2N6109 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48356 | 2N6109 | Puissance 7A 50V PNP Discret | ON Semiconductor |
| 48357 | 2N6109 | 40.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 7.000A Ic, 30-150 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48358 | 2N6109 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -60V. | General Electric Solid State |
| 48359 | 2N6110 | Épitaxial-base, SILICIUM N-p-n ET TRANSISTORS De P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48360 | 2N6110 | Épitaxiale base, le silicium transistor PNP VERSAWATT. -40V. | General Electric Solid State |
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