| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 48561 | 2N6288 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 40V. | General Electric Solid State |
| 48562 | 2N6289 | Épitaxial-base, SILICIUM N-p-n ET TRANSISTORS De P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48563 | 2N6289 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 40V. | General Electric Solid State |
| 48564 | 2N6290 | PUISSANCE TRANSISTORS(7a, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48565 | 2N6290 | Épitaxial-base, SILICIUM N-p-n ET TRANSISTORS De P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48566 | 2N6290 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48567 | 2N6290 | 40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 7.000A Ic, 2 hFE. 2N6109 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 48568 | 2N6290 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 60V. | General Electric Solid State |
| 48569 | 2N6291 | Épitaxial-base, SILICIUM N-p-n ET TRANSISTORS De P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48570 | 2N6291 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 60V. | General Electric Solid State |
| 48571 | 2N6292 | PUISSANCE TRANSISTORS(7a, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48572 | 2N6292 | Épitaxial-base, SILICIUM N-p-n ET TRANSISTORS De P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48573 | 2N6292 | Usage universel Plombé De Transistor De Puissance | Central Semiconductor |
| 48574 | 2N6292 | Puissance 7A 70V NPN Discret | ON Semiconductor |
| 48575 | 2N6292 | 40.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 70V VCEO, 7.000A Ic, 2 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48576 | 2N6292 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 80V. | General Electric Solid State |
| 48577 | 2N6292 | Silicon plastique de transistor de puissance NPN. Commutation et d'amplification des applications générales. VCEO = 70Vdc, 80Vdc Vcb = VEB = 5Vdc, Ic = 7Adc, Ib = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
| 48578 | 2N6293 | Épitaxial-base, SILICIUM N-p-n ET TRANSISTORS De P-n-p VERSAWATT | Boca Semiconductor Corporation |
| 48579 | 2N6293 | Épitaxiale base, le silicium transistor NPN VERSAWATT. 80V. | General Electric Solid State |
| 48580 | 2N6294 | SILICIUM COMPLÉMENTAIRE DARLINGTONl | Central Semiconductor |
| 48581 | 2N6295 | SILICIUM COMPLÉMENTAIRE DARLINGTONl | Central Semiconductor |
| 48582 | 2N6295 | TRANSISTOR DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRE DE SILICIUM DE DARLINGTON | SemeLAB |
| 48583 | 2N6296 | SILICIUM COMPLÉMENTAIRE DARLINGTONl | Central Semiconductor |
| 48584 | 2N6296 | Dispositif Bipolaire de PNP | SemeLAB |
| 48585 | 2N6297 | SILICIUM COMPLÉMENTAIRE DARLINGTONl | Central Semiconductor |
| 48586 | 2N6298 | Transistor de PNP Darlington | Microsemi |
| 48587 | 2N6298 | PUISSANCE TRANSISTORS(å, 75W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48588 | 2N6298 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE DARLINGTON | Boca Semiconductor Corporation |
| 48589 | 2N6298 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 48590 | 2N6299 | Transistor de PNP Darlington | Microsemi |
| 48591 | 2N6299 | PUISSANCE TRANSISTORS(å, 75W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48592 | 2N6299 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE DARLINGTON | Boca Semiconductor Corporation |
| 48593 | 2N6299 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 48594 | 2N6300 | Transistor de NPN Darlington | Microsemi |
| 48595 | 2N6300 | PUISSANCE TRANSISTORS(å, 75W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48596 | 2N6300 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE DARLINGTON | Boca Semiconductor Corporation |
| 48597 | 2N6300 | Transistor De Puissance Plombé Darlington | Central Semiconductor |
| 48598 | 2N6301 | Transistor de NPN Darlington | Microsemi |
| 48599 | 2N6301 | PUISSANCE TRANSISTORS(å, 75W) | MOSPEC Semiconductor |
| 48600 | 2N6301 | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM DE DARLINGTON | Boca Semiconductor Corporation |
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