| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 501401 | HMUB-L2HA-1 | Connecteurs Optiques De Fibre De Type de MU | Hirose Electric |
| 501402 | HMUB-L2HB-1 | Connecteurs Optiques De Fibre De Type de MU | Hirose Electric |
| 501403 | HMUB-L2PA-1 | Connecteurs Optiques De Fibre De Type de MU | Hirose Electric |
| 501404 | HMUB-L8HA-1 | Connecteurs Optiques De Fibre De Type de MU | Hirose Electric |
| 501405 | HMUB-L8HB-1 | Connecteurs Optiques De Fibre De Type de MU | Hirose Electric |
| 501406 | HMUB-L8PA-1 | Connecteurs Optiques De Fibre De Type de MU | Hirose Electric |
| 501407 | HMUB-TJ-1 | Connecteurs Optiques De Fibre De Type de MU | Hirose Electric |
| 501408 | HMUB-TP-1 | Connecteurs Optiques De Fibre De Type de MU | Hirose Electric |
| 501409 | HMUB-TS-1 | Connecteurs Optiques De Fibre De Type de MU | Hirose Electric |
| 501410 | HMX1225 | THYRISTORS ICGcT<200ucA DE LA TENSION 0.8cA 300/380 | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 501411 | HN1A01F | Applications Tout usage Épitaxiales D'Amplificateur De Fréquence Sonore De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT) | TOSHIBA |
| 501412 | HN1A01FE | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501413 | HN1A01FU | Applications Tout usage Épitaxiales D'Amplificateur De Fréquence Sonore De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT) | TOSHIBA |
| 501414 | HN1A02F | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501415 | HN1A07F | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501416 | HN1A26FS | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501417 | HN1B01F | Applications Tout usage Épitaxiales Épitaxiales D'Amplificateur De Fréquence Sonore De Type Du Silicium NPN De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT) (Processus de PCT) | TOSHIBA |
| 501418 | HN1B01FDW1T1 | Complémentaire à double usage général Transistor Amplifier | ON Semiconductor |
| 501419 | HN1B01FDW1T1-D | Transistor tout usage duel complémentaire PNP d'amplificateur et bâti de surface de NPN | ON Semiconductor |
| 501420 | HN1B01FU | Applications Tout usage Épitaxiales Épitaxiales D'Amplificateur De Fréquence Sonore De Type Du Silicium NPN De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT) (Processus de PCT) | TOSHIBA |
| 501421 | HN1B04F | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501422 | HN1B04FE | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501423 | HN1B04FU | Applications Tout usage Épitaxiales Épitaxiales D'Amplificateur De Fréquence Sonore De Type Du Silicium PNP De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) (Processus de PCT) | TOSHIBA |
| 501424 | HN1B26FS | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501425 | HN1C01F | Applications Tout usage Épitaxiales D'Amplificateur De Fréquence Sonore De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) | TOSHIBA |
| 501426 | HN1C01FE | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501427 | HN1C01FU | Applications Tout usage Épitaxiales D'Amplificateur De Fréquence Sonore De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) | TOSHIBA |
| 501428 | HN1C03F | Type Épitaxial Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) Pour Des Applications Assourdissantes Et De Changements | TOSHIBA |
| 501429 | HN1C03FU | Type épitaxial de Npn de silicium de transistor (processus de PCT) pour des applications assourdissantes et de changements | TOSHIBA |
| 501430 | HN1C05FE | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501431 | HN1C07F | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501432 | HN1C26FS | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501433 | HN1D01F | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 501434 | HN1D01FE | Diode de commutation | TOSHIBA |
| 501435 | HN1D01FU | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 501436 | HN1D02F | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 501437 | HN1D02FE | Diode de commutation | TOSHIBA |
| 501438 | HN1D02FU | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 501439 | HN1D03F | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
| 501440 | HN1D03FU | Application Ultra À grande vitesse Planaire Épitaxiale De Commutation De Type De Silicium De Diode | TOSHIBA |
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