| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 528521 | IDB12E120 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission de 1À dans TO263 | Infineon |
| 528522 | IDB15E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission de 1Ä dans TO263 | Infineon |
| 528523 | IDB18E120 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 1Å dans TO263 | Infineon |
| 528524 | IDB23E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 2Á dans TO263 | Infineon |
| 528525 | IDB30E120 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 30A dans TO263 | Infineon |
| 528526 | IDB30E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 30A dans TO263 | Infineon |
| 528527 | IDB31 | DIODE BIDIRECTIONNELLE DE DÉCLENCHEMENT DE SILICIUM PLANAIRE | General Semiconductor |
| 528528 | IDB45E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 4Ä dans TO263 | Infineon |
| 528529 | IDC-2512 | <! - - 0008 -- Courant De >High, Inducteur De Noyau De Tambour | Vishay |
| 528530 | IDC-5020 | <! - - 0009 -- Courant De >High, Inducteur De Noyau De Tambour | Vishay |
| 528531 | IDC-5020-NB-100-M | Haut Courant, Inducteur De Bâti De Surface | Vishay |
| 528532 | IDC-7328 | <! - - 0010 -- Courant De >High, Inducteur De Noyau De Tambour | Vishay |
| 528533 | IDC2512NB100M | Haut Courant, Inducteur De Bâti De Surface | Vishay |
| 528534 | IDC5020NB100M | Haut Courant, Inducteur De Bâti De Surface | Vishay |
| 528535 | IDC7328NB100M | Haut Courant, Inducteur De Bâti De Surface | Vishay |
| 528536 | IDCP-1813 | <! - - 0014 -- Courant De >High, Inducteur De Noyau De Tambour | Vishay |
| 528537 | IDCP-2218 | <! - - 0015 -- Courant De >High, Inducteur De Noyau De Tambour | Vishay |
| 528538 | IDCP-3020 | <! - - 0016 -- Courant De >High, Inducteur De Noyau De Tambour | Vishay |
| 528539 | IDCP-3020NB100M | Haut Courant, Inducteur De Bâti De Surface | Vishay |
| 528540 | IDCP-3114 | <! - - 0017 -- Courant De >High, Inducteur De Noyau De Tambour | Vishay |
| 528541 | IDCP-3114NB100M | Haut Courant, Inducteur De Bâti De Surface | Vishay |
| 528542 | IDCP-3722 | <! - - 0018 -- Courant De >High, Inducteur De Noyau De Tambour | Vishay |
| 528543 | IDCP-3916 | <! - - 0019 -- Courant De >High, Inducteur De Noyau De Tambour | Vishay |
| 528544 | IDCP3722NB100M | Haut Courant, Inducteur De Bâti De Surface | Vishay |
| 528545 | IDCS-2512 | <! - - 0011 -- Courant De >High, Inducteur De Noyau De Tambour | Vishay |
| 528546 | IDCS-5020 | <! - - 0012 -- Courant De >High, Inducteur De Noyau De Tambour | Vishay |
| 528547 | IDCS-7328 | <! - - 0013 -- Courant De >High, Inducteur De Noyau De Tambour | Vishay |
| 528548 | IDD03E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission de Á dans TO252 | Infineon |
| 528549 | IDD06E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission à dans TO252 | Infineon |
| 528550 | IDD09E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 9A dans TO252 | Infineon |
| 528551 | IDD15E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission de 1Ä dans TO252 | Infineon |
| 528552 | IDD23E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 2Á dans TO252 | Infineon |
| 528553 | IDL620 | Optocoupleur, Rendement De Phototransistor, Entrée À C.a. (Conjuguez, Quadruplez La Manche) | Vishay |
| 528554 | IDM2902NC | Regardez-Ahead Carry Générateur | Fairchild Semiconductor |
| 528555 | IDM29901NC | Verrous transparents du D-Type 3-state octal et bascules déclenchées par front d'impulsion | Fairchild Semiconductor |
| 528556 | IDP04E120 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission de  dans To220-2 | Infineon |
| 528557 | IDP06E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission à dans To220-2 | Infineon |
| 528558 | IDP09E120 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 9A dans To220-2 | Infineon |
| 528559 | IDP09E60 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission 9A dans To220-2 | Infineon |
| 528560 | IDP12E120 | Diodes de puissance de silicium - condition d'émission de 1À dans To220-2 | Infineon |
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