| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 52921 | 2SC1621 | MINI MOULE DE LA COMMUTATION PNP DE TRANSISTOR ÉPITAXIAL À GRANDE VITESSE DE SILICIUM | NEC |
| 52922 | 2SC1621-L | Transistor de silicium | NEC |
| 52923 | 2SC1621-T1B | Transistor de silicium | NEC |
| 52924 | 2SC1621-T2B | Transistor de silicium | NEC |
| 52925 | 2SC1622 | MOULE DE HAUT DE GAIN DE FRÉQUENCE SONORE MINI DE L'CAmplificateur NPN TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM | NEC |
| 52926 | 2SC1622A | MOULE DE HAUT DE GAIN DE FRÉQUENCE SONORE MINI DE L'CAmplificateur NPN TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM | NEC |
| 52927 | 2SC1622A-L | Silicium à gain élevé de basse fréquence TR d'amplification. | NEC |
| 52928 | 2SC1622A-T1B | Silicium à gain élevé de basse fréquence TR d'amplification. | NEC |
| 52929 | 2SC1622A-T2B | Silicium à gain élevé de basse fréquence TR d'amplification. | NEC |
| 52930 | 2SC1623 | MOULE DE L'CAmplificateur NPN DE FRÉQUENCE SONORE MINI DE TRANSISTOR ÉPITAXIAL TOUT USAGE DE SILICIUM | NEC |
| 52931 | 2SC1623-L | Transistor de silicium | NEC |
| 52932 | 2SC1623-T1B | Transistor de silicium | NEC |
| 52933 | 2SC1623-T2B | Transistor de silicium | NEC |
| 52934 | 2SC1624 | TYPE PLANAIRE DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
| 52935 | 2SC1624 | TYPE PLANAIRE DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
| 52936 | 2SC1625 | TYPE PLANAIRE DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
| 52937 | 2SC1625 | TYPE PLANAIRE DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
| 52938 | 2SC1626 | TRANSISTORS DE PUISSANCE ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM | Micro Electronics |
| 52939 | 2SC1627 | Applications épitaxiales d'amplificateur de tension d'applications d'amplificateur d'étape de conducteur de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) | TOSHIBA |
| 52940 | 2SC1627A | APPLICATIONS ÉPITAXIALES D'CAmplificateur D'CÉtape DE CONDUCTEUR DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT). APPLICATIONS D'CAmplificateur DE TENSION | TOSHIBA |
| 52941 | 2SC1645 | 2SC1545M | ROHM |
| 52942 | 2SC1645 | 2SC1545M | ROHM |
| 52943 | 2SC1645S | > de transistors; Petit signal Transistors(up bipolaire à 0.6W) | ROHM |
| 52944 | 2SC1651S | > de transistors; Petit signal Transistors(up bipolaire à 0.6W) | ROHM |
| 52945 | 2SC1652 | Transistors Moyens De Silicium D'Amp. Epitaxial Planar NPN De Puissance | ROHM |
| 52946 | 2SC1653 | LECTEUR, MINI MOULE de TUBE CATHODIQUE de VISUALISATION de la COMMUTATION à haute tension NPN de TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM | NEC |
| 52947 | 2SC1653-L | Transistor de silicium | NEC |
| 52948 | 2SC1653-T1B | Transistor de silicium | NEC |
| 52949 | 2SC1653-T2B | Transistor de silicium | NEC |
| 52950 | 2SC1654 | LECTEUR, MINI MOULE de TUBE CATHODIQUE de VISUALISATION de la COMMUTATION à haute tension NPN de TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM | NEC |
| 52951 | 2SC1654-L | Transistor de silicium | NEC |
| 52952 | 2SC1654-T1B | Transistor de silicium | NEC |
| 52953 | 2SC1654-T2B | Transistor de silicium | NEC |
| 52954 | 2SC1672 | Amplificateurs et commutateurs de puissance moyens | Unknow |
| 52955 | 2SC1672 | Amplificateurs et commutateurs de puissance moyens | Unknow |
| 52956 | 2SC1674 | Transistors Plastique-Encapsulés Par To-92 | TRANSYS Electronics Limited |
| 52957 | 2SC1674 | TV PIF amplificateur, tuner FM amplificateur RF, mélangeur, occillator. Tension collecteur-base = 30V VCBO. Tension collecteur-émetteur = 20V VCEO. Tension émetteur-base Vebo = 4V. Collector dissipation PC (max) = 250 mW. Courant de col | USHA India LTD |
| 52958 | 2SC1675 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | Micro Electronics |
| 52959 | 2SC1675 | Amplificateur FM / AM RF, table de mixage, convertisseur, oscillateur, SI. Collecteur-base tension 50V = VCBO. Tension collecteur-émetteur = 30V VCEO. Tension base-émetteur = 5V Vebo. Collector dissipation PC (max) = 250 mW. Courant de c | USHA India LTD |
| 52960 | 2SC1678 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
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