| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 56001 | 2SC5186-T1 | Le TRANSISTOR ÉPITAXIAL de SILICIUM de NPN DANS ULTRA SUPERBE Mini-moulent le PAQUET POUR L'CAmplification de MICRO-onde À faible bruit | NEC |
| 56002 | 2SC5190 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - à haute fréquence pour des tuners | Panasonic |
| 56003 | 2SC5191 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE BAS DE BRUIT DE MICRO-onde SILICIUM DE L'CAmplificateur NPN | NEC |
| 56004 | 2SC5191-T1 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE BAS DE BRUIT DE MICRO-onde SILICIUM DE L'CAmplificateur NPN | NEC |
| 56005 | 2SC5191-T2 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE BAS DE BRUIT DE MICRO-onde SILICIUM DE L'CAmplificateur NPN | NEC |
| 56006 | 2SC5192 | MOULE DE BASSES DE BRUIT DE MICRO-onde MINI DE L'CAmplificateur NPN DE SILICIUM GOUPILLES ÉPITAXIALES DU TRANSISTOR 4 | NEC |
| 56007 | 2SC5192-T1 | MOULE DE BASSES DE BRUIT DE MICRO-onde MINI DE L'CAmplificateur NPN DE SILICIUM GOUPILLES ÉPITAXIALES DU TRANSISTOR 4 | NEC |
| 56008 | 2SC5192-T2 | MOULE DE BASSES DE BRUIT DE MICRO-onde MINI DE L'CAmplificateur NPN DE SILICIUM GOUPILLES ÉPITAXIALES DU TRANSISTOR 4 | NEC |
| 56009 | 2SC5192R | Entraînement à basse tension, le transistor à haute fréquence | NEC |
| 56010 | 2SC5192R-T1 | Entraînement à basse tension, le transistor à haute fréquence | NEC |
| 56011 | 2SC5192R-T2 | Entraînement à basse tension, le transistor à haute fréquence | NEC |
| 56012 | 2SC5193 | MOULE DE BAS DE BRUIT DE MICRO-onde MINI DE L'CAmplificateur NPN DE SILICIUM CONTRAT ÉPITAXIAL DE TRANSISTOR | NEC |
| 56013 | 2SC5193-T1 | MOULE DE BAS DE BRUIT DE MICRO-onde MINI DE L'CAmplificateur NPN DE SILICIUM CONTRAT ÉPITAXIAL DE TRANSISTOR | NEC |
| 56014 | 2SC5193-T2 | MOULE DE BAS DE BRUIT DE MICRO-onde MINI DE L'CAmplificateur NPN DE SILICIUM CONTRAT ÉPITAXIAL DE TRANSISTOR | NEC |
| 56015 | 2SC5194 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE BAS DE BRUIT DE MICRO-onde SILICIUM DE L'CAmplificateur NPN | NEC |
| 56016 | 2SC5194-T1 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE BAS DE BRUIT DE MICRO-onde SILICIUM DE L'CAmplificateur NPN | NEC |
| 56017 | 2SC5194-T2 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE BAS DE BRUIT DE MICRO-onde SILICIUM DE L'CAmplificateur NPN | NEC |
| 56018 | 2SC5195 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE BAS DE BRUIT DE MICRO-onde SILICIUM DE L'CAmplificateur NPN | NEC |
| 56019 | 2SC5195-T1 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE BAS DE BRUIT DE MICRO-onde SILICIUM DE L'CAmplificateur NPN | NEC |
| 56020 | 2SC5196 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. APPLICATIONS D'CAmplificateur DE PUISSANCE | TOSHIBA |
| 56021 | 2SC5196 | C.c PLANAIRE D'CAmplificateur DE PUISSANCE DU SILICIUM TRANSISTOR(audio DE NPN AU CONVERTISSEUR DE C.c) | Wing Shing Computer Components |
| 56022 | 2SC5197 | APPLICATIONS DIFFUSES TRIPLES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 56023 | 2SC5198 | APPLICATIONS DIFFUSES TRIPLES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 56024 | 2SC5199 | APPLICATIONS DIFFUSES TRIPLES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 56025 | 2SC5200 | APPLICATIONS DIFFUSES TRIPLES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 56026 | 2SC5200 | NPN épitaxiales de silicium Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 56027 | 2SC5200N | Transistor de puissance pour des applications de commutation à grande vitesse | TOSHIBA |
| 56028 | 2SC5201 | TYPE DIFFUS TRIPLE DE MESA DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR. APPLICATIONS À HAUTE TENSION DE COMMUTATION. | TOSHIBA |
| 56029 | 2SC5207A | PLANAIRE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN | Hitachi Semiconductor |
| 56030 | 2SC5209 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN D'APPLICATION D'ALIMENTATION D'ÉNERGIE D'ENTRAÎNEMENT DE RELAIS | Isahaya Electronics Corporation |
| 56031 | 2SC5209 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN D'APPLICATION D'ALIMENTATION D'ÉNERGIE D'ENTRAÎNEMENT DE RELAIS | Isahaya Electronics Corporation |
| 56032 | 2SC5210 | Transistor NPN SMD 500mW, note maximale: 250V VCEO, 100mA Ic, 55-230 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
| 56033 | 2SC5211 | SILICIUM NPN TRANSISOR | Isahaya Electronics Corporation |
| 56034 | 2SC5211 | SILICIUM NPN TRANSISOR | Isahaya Electronics Corporation |
| 56035 | 2SC5212 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL HAUT COURANT DU SILICIUM NP D'APPLICATION D'ENTRAÎNEMENT | Isahaya Electronics Corporation |
| 56036 | 2SC5212 | POUR LE TYPE ÉPITAXIAL HAUT COURANT DU SILICIUM NP D'APPLICATION D'ENTRAÎNEMENT | Isahaya Electronics Corporation |
| 56037 | 2SC5213 | 2SC5213 | Isahaya Electronics Corporation |
| 56038 | 2SC5213 | 2SC5213 | Isahaya Electronics Corporation |
| 56039 | 2SC5214 | Pour De basse fréquence Amplifiez Le Type Épitaxial De Npn De Silicium D'Application | Isahaya Electronics Corporation |
| 56040 | 2SC5214 | Pour De basse fréquence Amplifiez Le Type Épitaxial De Npn De Silicium D'Application | Isahaya Electronics Corporation |
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