| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 561681 | IF4500 | Transistor D'Effet de champ De Jonction De Silicium De N-Canal | InterFET Corporation |
| 561682 | IF4501 | Transistor D'Effet de champ De Jonction De Silicium De N-Canal | InterFET Corporation |
| 561683 | IF4510 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N-Channel | InterFET Corporation |
| 561684 | IF4511 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N-Channel | InterFET Corporation |
| 561685 | IF9030 | Transistor D'Effet de champ De Jonction De Silicium De N-Canal | InterFET Corporation |
| 561686 | IFC-0603 | <! - - 0020 -- Inducteur De Film Du >High Q/srf | Vishay |
| 561687 | IFC-0805 | <! - - 0021 -- Inducteur De Film Du >High Q/srf | Vishay |
| 561688 | IFC125-14 | AC / DC de cadre ouvert. 125 Watts. Sortie 1: Vnom 24.0V, 5.2A Imax. Sortie 2: Vnom 12.0V, 0.5A Imax. | International Power Sources |
| 561689 | IFC125-31 | AC / DC de cadre ouvert. 125 Watts. Sortie 1: Vnom 5.0V, Imax 16.5A. Sortie 2: Vnom 12.0V, 5.0A Imax. Sortie 3: Vnom -12.0V, Imax 0.5A. | International Power Sources |
| 561690 | IFC125-40-1 | AC / DC de cadre ouvert. 125 Watts. Sortie 1: Vnom 2.5V, Imax 12.5A. Sortie 2: Vnom 5.0V, Imax 15.0A. Sortie 3: Vnom 12.0V, 5.0A Imax. Sortie 4: Vnom -12.0V, Imax 0.5A. | International Power Sources |
| 561691 | IFC125-42-3 | AC / DC de cadre ouvert. 125 Watts. Sortie 1: Vnom 3.3V, Imax 10.0A. Sortie 2: Vnom 5.0V, Imax 15.0A. Sortie 3: Vnom 12.0V, 5.0A Imax. Sortie 4: Vnom -12.0V, Imax 0.5A. | International Power Sources |
| 561692 | IFD-53010 | Silicium Divide-by-4 bipolaire de MMIC 3,5 et 5,5 charge statique Prescalers de gigahertz | Agilent (Hewlett-Packard) |
| 561693 | IFD-53110 | Silicium Divide-by-4 bipolaire de MMIC 3,5 et 5,5 charge statique Prescalers de gigahertz | Agilent (Hewlett-Packard) |
| 561694 | IFN105 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N-Channel | InterFET Corporation |
| 561695 | IFN112 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N-Channel | InterFET Corporation |
| 561696 | IFN113 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N-Channel | InterFET Corporation |
| 561697 | IFN146 | Transistor Duel D'Effet de champ De Jonction De Silicium De N-Canal | InterFET Corporation |
| 561698 | IFN147 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N-Channel | InterFET Corporation |
| 561699 | IFN152 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N-Channel | InterFET Corporation |
| 561700 | IFN363 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N-Channel | InterFET Corporation |
| 561701 | IFN421 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N dual-channel | InterFET Corporation |
| 561702 | IFN422 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N dual-channel | InterFET Corporation |
| 561703 | IFN423 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N dual-channel | InterFET Corporation |
| 561704 | IFN424 | Transistor Duel D'Effet de champ De Jonction De Silicium De N-Canal | InterFET Corporation |
| 561705 | IFN425 | Transistor Duel D'Effet de champ De Jonction De Silicium De N-Canal | InterFET Corporation |
| 561706 | IFN426 | Transistor Duel D'Effet de champ De Jonction De Silicium De N-Canal | InterFET Corporation |
| 561707 | IFN5114 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium P-Channel | InterFET Corporation |
| 561708 | IFN5115 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium P-Channel | InterFET Corporation |
| 561709 | IFN5116 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium P-Channel | InterFET Corporation |
| 561710 | IFN5432 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N-Channel | InterFET Corporation |
| 561711 | IFN5433 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N-Channel | InterFET Corporation |
| 561712 | IFN5434 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N-Channel | InterFET Corporation |
| 561713 | IFN5564 | Canal N transistor à effet de champ à jonction double de silicium | InterFET Corporation |
| 561714 | IFN5565 | Canal N transistor à effet de champ à jonction double de silicium | InterFET Corporation |
| 561715 | IFN5566 | Canal N transistor à effet de champ à jonction double de silicium | InterFET Corporation |
| 561716 | IFN5911 | Canal N transistor à effet de champ à jonction double de silicium | InterFET Corporation |
| 561717 | IFN5912 | Canal N transistor à effet de champ à jonction double de silicium | InterFET Corporation |
| 561718 | IFN6449 | Transistor D'Effet de champ De Jonction De Silicium De N-Canal | InterFET Corporation |
| 561719 | IFN6450 | Transistor D'Effet de champ De Jonction De Silicium De N-Canal | InterFET Corporation |
| 561720 | IFN860 | Transistor à effet de champ de jonction de silicium N dual-channel | InterFET Corporation |
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