| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 56641 | 2SC6000 | Transistor de puissance pour des applications de commutation à grande vitesse | TOSHIBA |
| 56642 | 2SC6012 | Dispositif De Puissance - Transistors De Puissance - Television/Display | Panasonic |
| 56643 | 2SC6023 | Fréquence ultra-haute planaire épitaxiale de transistor de silicium de NPN à l'amplificateur de Bas-Bruit de bandede C et aux applications d'OSCILLATEUR | SANYO |
| 56644 | 2SC6023 | Fréquence ultra-haute planaire épitaxiale de transistor de silicium de NPN à l'amplificateur de Bas-Bruit de bandede C et aux applications d'OSCILLATEUR | SANYO |
| 56645 | 2SC6024 | Fréquence ultra-haute à l'amplificateur de Bas-Bruit de bande de C et aux applications d'OSCILLATEUR | SANYO |
| 56646 | 2SC6024 | Fréquence ultra-haute à l'amplificateur de Bas-Bruit de bande de C et aux applications d'OSCILLATEUR | SANYO |
| 56647 | 2SC6026CT | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal | TOSHIBA |
| 56648 | 2SC6026MFV | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal | TOSHIBA |
| 56649 | 2SC6033 | Type Épitaxial Du Silicium NPN De Transistor de TOSHIBA | TOSHIBA |
| 56650 | 2SC6033 | Type Épitaxial Du Silicium NPN De Transistor de TOSHIBA | TOSHIBA |
| 56651 | 2SC6036 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - Général-employez Amplifires de basse fréquence | Panasonic |
| 56652 | 2SC6036G | Silicon NPN épitaxiale de type planar | Panasonic |
| 56653 | 2SC6037G | Silicon NPN épitaxiale de type planar | Panasonic |
| 56654 | 2SC6037J | Dispositif small-signal - transistor small-signal - Général-employez Amplifires de basse fréquence | Panasonic |
| 56655 | 2SC6043 | Transistor bipolaire, 50V, 2A, faible VCE (sat) NPN simple député | ON Semiconductor |
| 56656 | 2SC6045 | Silicon NPN épitaxiale de type planar | Panasonic |
| 56657 | 2SC6045G | Silicon NPN épitaxiale de type planar | Panasonic |
| 56658 | 2SC6046 | Transistor NPN SMD 200mW, note maximale: 40V VCEO, 600mA Ic, 100 à 300 hFE. | Isahaya Electronics Corporation |
| 56659 | 2SC605 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | Unknow |
| 56660 | 2SC605 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | Unknow |
| 56661 | 2SC6050 | Silicon NPN épitaxiale de type planar | Panasonic |
| 56662 | 2SC6054G | Silicon NPN épitaxiale de type planar | Panasonic |
| 56663 | 2SC6054J | Silicon NPN épitaxiale de type planar | Panasonic |
| 56664 | 2SC606 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | Unknow |
| 56665 | 2SC606 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN | Unknow |
| 56666 | 2SC6061 | Transistor de puissance pour des applications de commutation à grande vitesse | TOSHIBA |
| 56667 | 2SC607 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP/npn | Unknow |
| 56668 | 2SC607 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP/npn | Unknow |
| 56669 | 2SC6076 | Transistor de puissance pour des applications de commutation à grande vitesse | TOSHIBA |
| 56670 | 2SC6078 | Transistor de puissance pour des applications de commutation à grande vitesse | TOSHIBA |
| 56671 | 2SC6097 | Transistor bipolaire, 60V, 3A, faible VCE (sat), NPN simple TP / TP-FA | ON Semiconductor |
| 56672 | 2SC6100 | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal | TOSHIBA |
| 56673 | 2SC6102 | NPN Transistor bipolaire pour Convertisseurs DC-DC | ON Semiconductor |
| 56674 | 2SC6124 | Transistor de puissance pour des applications de commutation à grande vitesse | TOSHIBA |
| 56675 | 2SC6125 | Transistor de puissance pour des applications de commutation à grande vitesse | TOSHIBA |
| 56676 | 2SC6126 | Transistor de puissance pour des applications de commutation à grande vitesse | TOSHIBA |
| 56677 | 2SC6127 | Transistor de puissance pour des applications de commutation à grande vitesse | TOSHIBA |
| 56678 | 2SC6133 | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal | TOSHIBA |
| 56679 | 2SC6134 | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal | TOSHIBA |
| 56680 | 2SC6135 | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal | TOSHIBA |
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