| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 598321 | K1713-02 | Détecteur de deux couleurs | Hamamatsu Corporation |
| 598322 | K1713-05 | Détecteur de deux couleurs | Hamamatsu Corporation |
| 598323 | K1713-08 | Détecteur de deux couleurs | Hamamatsu Corporation |
| 598324 | K1713-09 | Détecteur de deux couleurs | Hamamatsu Corporation |
| 598325 | K1745 | 2SK1745 | Unknow |
| 598326 | K176 | Microcircuits MOS-Intergrated | etc |
| 598327 | K176TB1 | Microcircuits MOS-Intergrated | etc |
| 598328 | K176TM1 | Microcircuits MOS-Intergrated | etc |
| 598329 | K176TM2 | Microcircuits MOS-Intergrated | etc |
| 598330 | K179 | Sonde Piezoresistive De Pression Absolue De Silicium | Siemens |
| 598331 | K180 | DIODES ZENER TENSION TRÈS BASSE, BASSE FUITE DE NIVEAU BAS | Knox Semiconductor Inc |
| 598332 | K1B6416B6C | mémoire à accès sélective d'Uni-Transistor synchrone d'éclat du peu 4Mx16 | Samsung Electronic |
| 598333 | K1S161611A | mémoire à accès sélective d'Uni-Transistor du peu 1Mx16 | Samsung Electronic |
| 598334 | K1S161611A-I | mémoire à accès sélective d'Uni-Transistor du peu 1Mx16 | Samsung Electronic |
| 598335 | K1S16161CA | mémoire à accès sélective d'Uni-Transistor de mode de page du peu 1Mx16 | Samsung Electronic |
| 598336 | K1S16161CA-I | mémoire à accès sélective d'Uni-Transistor de mode de page du peu 1Mx16 | Samsung Electronic |
| 598337 | K1S1616BCA | mémoire à accès sélective d'Uni-Transistor de mode de page du peu 1Mx16 | Samsung Electronic |
| 598338 | K1S321611C | mémoire à accès sélective d'Uni-Transistor du peu 2Mx16 | Samsung Electronic |
| 598339 | K1S321611C-FI70 | mémoire à accès sélective d'Uni-Transistor du peu 2Mx16 | Samsung Electronic |
| 598340 | K1S321611C-I | mémoire à accès sélective d'Uni-Transistor du peu 2Mx16 | Samsung Electronic |
| 598341 | K1S321615M | fiche technique 2M x 16 de bit du l'Uni-Transistor CMOS de RAM | Samsung Electronic |
| 598342 | K1S32161CC | mémoire à accès sélective d'Uni-Transistor de mode de page du peu 2Mx16 | Samsung Electronic |
| 598343 | K1S32161CC-FI70 | mémoire à accès sélective d'Uni-Transistor de mode de page du peu 2Mx16 | Samsung Electronic |
| 598344 | K1S32161CC-I | mémoire à accès sélective d'Uni-Transistor de mode de page du peu 2Mx16 | Samsung Electronic |
| 598345 | K1S3216B1C | mémoire à accès sélective d'Uni-Transistor du peu 2Mx16 | Samsung Electronic |
| 598346 | K1S3216B1C-I | mémoire à accès sélective d'Uni-Transistor du peu 2Mx16 | Samsung Electronic |
| 598347 | K1S3216BCD | mémoire à accès sélective d'Uni-Transistor de mode de page du peu 2Mx16 | Samsung Electronic |
| 598348 | K1S64161CC | mémoire à accès sélective d'Uni-Transistor de mode de page du peu 4Mx16 | Samsung Electronic |
| 598349 | K1V(A)10 | Sidac/Thyristor Bi-directionnel (K1VSeries) | Shindengen |
| 598350 | K1V(A)11 | Sidac/Thyristor Bi-directionnel (K1VSeries) | Shindengen |
| 598351 | K1V(A)12 | Sidac/Thyristor Bi-directionnel (K1VSeries) | Shindengen |
| 598352 | K1V(A)14 | Sidac/Thyristor Bi-directionnel (K1VSeries) | Shindengen |
| 598353 | K1V(A)16 | Sidac/Thyristor Bi-directionnel (K1VSeries) | Shindengen |
| 598354 | K1V10 | Sidac/Thyristor Bi-directionnel (K1VSeries) | Shindengen |
| 598355 | K1V11 | Sidac/Thyristor Bi-directionnel (K1VSeries) | Shindengen |
| 598356 | K1V12 | Sidac/Thyristor Bi-directionnel (K1VSeries) | Shindengen |
| 598357 | K1V14 | Sidac/Thyristor Bi-directionnel (K1VSeries) | Shindengen |
| 598358 | K1V16 | Sidac/Thyristor Bi-directionnel (K1VSeries) | Shindengen |
| 598359 | K1V18 | Sidac/Thyristor Bi-directionnel (K1VSeries) | Shindengen |
| 598360 | K1V22 | Sidac/Thyristor Bi-directionnel (K1VSeries) | Shindengen |
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