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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
881601MJD44H11T4Pla NPN De la Puissance 10A 80VON Semiconductor
881602MJD44H11T4TRANSISTOR COMPLÉMENTAIRE DU SILICIUM PNPST Microelectronics
881603MJD44H11T4-ADes transistors de puissance complémentairesST Microelectronics
881604MJD44H11T4GTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUMON Semiconductor
881605MJD44H11T4GTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUMON Semiconductor
881606MJD44H11T5Pla NPN De la Puissance 10A 80VON Semiconductor
881607MJD44H11TFTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
881608MJD44H11TMTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
881609MJD45H11Transistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
881610MJD45H11TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DU SILICIUM PNPST Microelectronics
881611MJD45H11TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DU SILICIUM PNPSGS Thomson Microelectronics
881612MJD45H11TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM 8 AMPÈRES 80 VOLTS 20 WATTSMotorola
881613MJD45H11Pla PNP De la Puissance 10A 80VON Semiconductor
881614MJD45H11-001Pla PNP De la Puissance 10A 80VON Semiconductor
881615MJD45H11-1TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM 8 AMPÈRES 80 VOLTS 20 WATTSMotorola
881616MJD45H11GTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUMON Semiconductor
881617MJD45H11GTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUMON Semiconductor
881618MJD45H11RLPla PNP De la Puissance 10A 80VON Semiconductor
881619MJD45H11T4TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM 8 AMPÈRES 80 VOLTS 20 WATTSMotorola



881620MJD45H11T4Pla PNP De la Puissance 10A 80VON Semiconductor
881621MJD45H11T4TRANSISTOR COMPLÉMENTAIRE DU SILICIUM PNPST Microelectronics
881622MJD45H11T4GTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUMON Semiconductor
881623MJD45H11T4GTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUMON Semiconductor
881624MJD45H11TFTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
881625MJD45H11TMTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
881626MJD47Transistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
881627MJD47TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNST Microelectronics
881628MJD47TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNSGS Thomson Microelectronics
881629MJD47TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN 1 AMPÈRE 250, 400 VOLTS 15 WATTSMotorola
881630MJD47SM NPN Du 1A 250V De PuissanceON Semiconductor
881631MJD47-1TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN 1 AMPÈRE 250, 400 VOLTS 15 WATTSMotorola
881632MJD47-DTransistors De Puissance À haute tension DPAK Pour Les Applications Extérieures De BâtiON Semiconductor
881633MJD47T4TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN 1 AMPÈRE 250, 400 VOLTS 15 WATTSMotorola
881634MJD47T4SM NPN Du 1A 250V De PuissanceON Semiconductor
881635MJD47T4TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNST Microelectronics
881636MJD47TFTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
881637MJD49TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNST Microelectronics
881638MJD49T4TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNST Microelectronics
881639MJD50Transistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
881640MJD50TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNST Microelectronics
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