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Les fiches techniques ont trouvé :: 711

Nr.	Nom de partie	Description	Fabricant
401	KBU6A	Tension DE VERRE de PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ: 50 À 1000V CURRENT:6.0a	Chenyi Electronics
402	KBU6B	Tension DE VERRE de PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ: 50 À 1000V CURRENT:6.0a	Chenyi Electronics
403	KBU6D	Tension DE VERRE de PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ: 50 À 1000V CURRENT:6.0a	Chenyi Electronics
404	KBU6G	Tension DE VERRE de PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ: 50 À 1000V CURRENT:6.0a	Chenyi Electronics
405	KBU6J	Tension DE VERRE de PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ: 50 À 1000V CURRENT:6.0a	Chenyi Electronics
406	KBU6K	Tension DE VERRE de PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ: 50 À 1000V CURRENT:6.0a	Chenyi Electronics
407	KBU6M	Tension DE VERRE de PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ: 50 À 1000V CURRENT:6.0a	Chenyi Electronics
408	LL4148	PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL	Chenyi Electronics
409	LL4151	PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL	Chenyi Electronics
410	LL4448	Petit diode de commutation de signal. Tension inverse de 75 V. moyenne corrigée 150 mA.	Chenyi Electronics
411	MMBZ52-SERIES	DIODES ZENER EXTÉRIEURES DE BÂTI	Chenyi Electronics
412	MMBZ5226B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 3,3 V. Courant d'essai de 20,0 mA.	Chenyi Electronics
413	MMBZ5227B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 3,6 V. Courant d'essai de 20,0 mA.	Chenyi Electronics
414	MMBZ5228B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 3,9 V. Courant d'essai de 20,0 mA.	Chenyi Electronics
415	MMBZ5229B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 4,3 V. Courant d'essai de 20,0 mA.	Chenyi Electronics
416	MMBZ5230B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 4,7 V. Courant d'essai de 20,0 mA.	Chenyi Electronics
417	MMBZ5231B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 5.1 V. Courant d'essai de 20,0 mA.	Chenyi Electronics
418	MMBZ5232B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 5,6 V. Courant d'essai de 20,0 mA.	Chenyi Electronics
419	MMBZ5233B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 6,0 V. Courant d'essai de 20,0 mA.	Chenyi Electronics
420	MMBZ5234B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 6.2 V. Courant d'essai de 20,0 mA.	Chenyi Electronics
421	MMBZ5235B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 6,8 V. Courant d'essai de 20,0 mA.	Chenyi Electronics
422	MMBZ5236B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 7,5 V. Courant d'essai de 20,0 mA.	Chenyi Electronics
423	MMBZ5237B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 8,2 V. Courant d'essai de 20,0 mA.	Chenyi Electronics
424	MMBZ5238B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 8,7 V. Courant d'essai de 20,0 mA.	Chenyi Electronics
425	MMBZ5239B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 9.1 V. Courant d'essai de 20,0 mA.	Chenyi Electronics
426	MMBZ5240B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 10 V. Courant d'essai de 20,0 mA.	Chenyi Electronics

427	MMBZ5241B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 11 V. Courant d'essai de 20,0 mA.	Chenyi Electronics
428	MMBZ5242B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 12,0 V. Courant d'essai de 20,0 mA.	Chenyi Electronics
429	MMBZ5243B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 13,0 V. Courant d'essai de 9,5 mA.	Chenyi Electronics
430	MMBZ5244B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 14,0 V. Courant d'essai 9,0 mA.	Chenyi Electronics
431	MMBZ5245B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 15,0 V. Courant d'essai de 8,5 mA.	Chenyi Electronics
432	MMBZ5246B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 16,0 V. Courant d'essai de 7,8 mA.	Chenyi Electronics
433	MMBZ5247B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 17,0 V. Courant d'essai de 7,4 mA.	Chenyi Electronics
434	MMBZ5248B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 18,0 V. Essai de 7,0 mA.	Chenyi Electronics
435	MMBZ5249B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 19,0 V. Courant d'essai de 6,6 mA.	Chenyi Electronics
436	MMBZ5250B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 20,0 V. Courant d'essai 6.2 mA.	Chenyi Electronics
437	MMBZ5251B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 22,0 V. Courant d'essai de 5,6 mA.	Chenyi Electronics
438	MMBZ5252B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 24,0 V. Courant d'essai 5.2 mA.	Chenyi Electronics
439	MMBZ5253B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 25,0 V. Courant d'essai 5.0 mA.	Chenyi Electronics
440	MMBZ5254B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 27,0 V. Courant d'essai de 4,6 mA.	Chenyi Electronics
441	MMBZ5255B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 28,0 V. Courant d'essai 4,5 mA.	Chenyi Electronics
442	MMBZ5256B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 30,0 V. Courant d'essai 4.2 mA.	Chenyi Electronics
443	MMBZ5257B	Surface diode Zener nount. 350 mW. Zen nominale. Vltg @ iZt Vz 33,0 V. Test de 3,8 mA.	Chenyi Electronics
444	RB151	Tension PASSIVÉE PAR VERRE de PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ: 50 À 1000V CURRENT:1.ä	Chenyi Electronics
445	RB152	Tension PASSIVÉE PAR VERRE de PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ: 50 À 1000V CURRENT:1.ä	Chenyi Electronics
446	RB153	Tension PASSIVÉE PAR VERRE de PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ: 50 À 1000V CURRENT:1.ä	Chenyi Electronics
447	RB154	Tension PASSIVÉE PAR VERRE de PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ: 50 À 1000V CURRENT:1.ä	Chenyi Electronics
448	RB155	Tension PASSIVÉE PAR VERRE de PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ: 50 À 1000V CURRENT:1.ä	Chenyi Electronics
449	RB156	Tension PASSIVÉE PAR VERRE de PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ: 50 À 1000V CURRENT:1.ä	Chenyi Electronics
450	RB157	Tension PASSIVÉE PAR VERRE de PONT REDRESSEUR MONOPHASÉ: 50 À 1000V CURRENT:1.ä	Chenyi Electronics

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