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2N3906-G construit près: |
Transistor de But, V CBO = -40V, V PDG = -40V, V EBO = 5V, je C = -0.2A | Téléchargement 2N3906-G datasheet de Comchip Technology |
pdf 77 kb |
2N3906-D | Vue 2N3906-G à notre catalogue | 2N3906BU |