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2SA968B construit près: |
V (CBO): 200V; V (CEO): 200V; V (EBO): 5V; 1.5A; 25W; Silicium PNP transistor de puissance de type silicium épitaxiale | Téléchargement 2SA968B datasheet de TOSHIBA |
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PROCESSUS ÉPITAXIAL DE PCT DE TRANSISTOR DU SILICIUM PNP D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: 2SA968A, 2SA968, |
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PROCESSUS ÉPITAXIAL DE PCT DE TRANSISTOR DU SILICIUM PNP | Téléchargement 2SA968B datasheet de Unknow |
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2SA968A | Vue 2SA968B à notre catalogue | 2SA970 |