|
| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
|
Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
2SB1116A construit près: |
Transistor de silicium D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: 2SB1116-T, 2SB1116/JD, 2SB1116-T/JM, 2SB1116A-T, 2SB1116/JM, |
Téléchargement 2SB1116A datasheet de NEC |
pdf 108 kb |
|
Fréquence audio amplificateur de puissance de commutation de vitesse moyenne. Tension collecteur-base VCBO = -80V. Tension collecteur-émetteur VCEO = -60V. Tension émetteur-base Vebo = 6V. Collector dissipation Pc (max) = 0,75W. | Téléchargement 2SB1116A datasheet de USHA India LTD |
pdf 147 kb |
2SB1116/JM | Vue 2SB1116A à notre catalogue | 2SB1116A-T |