|
| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
|
Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
BC856S construit près: |
65 V, 100 mA PNP / PNP transistor à usage général | Téléchargement BC856S datasheet de NXP Semiconductors |
pdf 86 kb |
|
Transistor tout usage de PNP double | Téléchargement BC856S datasheet de Philips |
pdf 60 kb |
|
Rangée de transistor d'AF de silicium de PNP (pour desétapes d'entrée d'AF et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur la basse) D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: Q62702-C2532, |
Téléchargement BC856S datasheet de Siemens |
pdf 54 kb |
|
Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Téléchargement BC856S datasheet de Diotec Elektronische |
pdf 75 kb |
|
Transistors tout usage - la rangée de transistor d'cAf de silicium de PNP pour l'cAf a entré des étapes et des conducteurs | Téléchargement BC856S datasheet de Infineon |
pdf 63 kb |
BC856F | Vue BC856S à notre catalogue | BC856T |