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BF1005 construit près: |
Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, l'entrée commandée de gain élevé met en scène jusqu'au réseau polarisé stabilisé intégré par 5V de tension de fonctionnement de 1GHz) D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: Q62702-F1498, |
Téléchargement BF1005 datasheet de Siemens |
pdf 56 kb |
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Rf-transistor MOSFET - intégré complètement polarisant le réseau, VDS=5v, gfs=24mS, Gp=19dB, F=1.4dB D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: BF998, BF998R, |
Téléchargement BF1005 datasheet de Infineon |
pdf 253 kb |
BF-U81DRD | Vue BF1005 à notre catalogue | BF1005R |