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CSD882E construit près: |
10.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 3.000A Ic, 200-400 hFE. CSB772E complémentaire D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: CSD882R, CSD882Q, CSD882P, CSD882, |
Téléchargement CSD882E datasheet de Continental Device India Limited |
pdf 138 kb |
CSD882 | Vue CSD882E à notre catalogue | CSD882P |