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GES5818 construit près: |
Planar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 40V, 750mA. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: GES5819, GES5817, GES5814, GES5815, GES5816, |
Téléchargement GES5818 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 218 kb |
GES5817-J1 | Vue GES5818 à notre catalogue | GES5818-J1 |