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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF153 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Égoutter-sourge tension 60V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 33A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF150, IRF151, IRF152, |
Téléchargement IRF153 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 197 kb |
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Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/40/60 V/100 V D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF150-153, |
Téléchargement IRF153 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 130 kb |
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TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Téléchargement IRF153 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 215 kb |
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33A et 40A, 60V et 100V, 0,055 et 0,08 Ohm à canal N MOSFET de puissance | Téléchargement IRF153 datasheet de Intersil |
pdf 63 kb |
IRF152 | Vue IRF153 à notre catalogue | IRF1607 |