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| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF721 construit près: |
MOSFET canal N, 350V, 3.3A D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF721F1, IRF722, IRF722F1, IRF723, IRF720F1, |
Téléchargement IRF721 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
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N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 350V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 3.0A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF720, |
Téléchargement IRF721 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 170 kb |
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TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Téléchargement IRF721 datasheet de Samsung Electronic |
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N-canal de TRANSISTORS | Téléchargement IRF721 datasheet de International Rectifier |
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Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/3,0/350-400 V D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF322, IRF320-323, IRF321, IRF320, IRF323, |
Téléchargement IRF721 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 170 kb |
IRF720STRR | Vue IRF721 à notre catalogue | IRF7210 |