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K4E660812E-TC/L construit près: |
RAM dynamique de 8M x 8bit CMOS avec des données prolongées dehors D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K4E660812E-JC/L, K4E640812E-JC/L, K4E640812E, K4E660812E, K4E640812E-TC/L, |
Téléchargement K4E660812E-TC/L datasheet de Samsung Electronic |
pdf 194 kb |
K4E660812E-JC/L | Vue K4E660812E-TC/L à notre catalogue | K4E661611D, K4E641611D |