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K4F160812D-B construit près: |
2M x 8 bits RAM dynamique CMOS avec mode page rapide. Tension d'alimentation 3,3 V, cycle de rafraîchissement 2K. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K4F170812D-F, K4F170812D-B, K4F170811D-F, K4F170811D-B, K4F160812D-F, |
Téléchargement K4F160812D-B datasheet de Samsung Electronic |
pdf 228 kb |
K4F160812D | Vue K4F160812D-B à notre catalogue | K4F160812D-F |