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| | Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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| Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| K4R271669AN-CG6 construit près: | 
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 | 256K x 16 x 32s banques dépendantes de RDRAM directes. Temps d'accès: 53,3 ns, I / O Fréquence 600 MHz. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K4R441869AM-CK7, K4R271669AM-CK7, K4R271669AM-CK8, K4R441869AN-CK8, K4R441869AN-CK7, |
Téléchargement K4R271669AN-CG6 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 4044 kb |
| K4R271669AM-CK8 | Vue K4R271669AN-CG6 à notre catalogue | K4R271669AN-CK7 |