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K4R881869M-NBCCG6 construit près: |
288Mbit RDRAM 512K X 18 banques 2*16 dépendantes du bit X dirigent RDRAMTM D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K4R881869, K4R881869M-NCK7, K4R881869M-NCK8, |
Téléchargement K4R881869M-NBCCG6 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 4076 kb |
K4R881869M | Vue K4R881869M-NBCCG6 à notre catalogue | K4R881869M-NCK7 |