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KM416V4000BS-6 construit près: |
4M x 16 bits CMOS RAM dynamique avec mode page rapide, alimentation de 3,3 V, 60ns D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: KM416V4000BS-45, KM416V4000BS-5, KM416V4100BS-L5, KM416V4000BS-L45, KM416V4000BS-L5, |
Téléchargement KM416V4000BS-6 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 768 kb |
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