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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
KM44C256D-8 construit près: |
60ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 330MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: KM44C256D-6, KM44C256D-7, |
Téléchargement KM44C256D-8 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 359 kb |
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