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KSB795 construit près: |
-80 V, +/- 1,5 A, épitaxiée de silicium transistor PNP Darlington D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: KSB794, |
Téléchargement KSB795 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 270 kb |
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Transistor Épitaxial De Darlington De Silicium de PNP | Téléchargement KSB795 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 53 kb |
KSB794OSTU | Vue KSB795 à notre catalogue | KSB795OSTU |