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MTB3N120E-D construit près: |
FET D2PAK de puissance d'énergie élevée d'E-FET de TMOS pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | Téléchargement MTB3N120E-D datasheet de ON Semiconductor |
PDF 327 kb |
MTB3N120E | Vue MTB3N120E-D à notre catalogue | MTB3N60E |