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| MTD20N06V-D construit près: | 
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 | Transistor à effet de champ de puissance de TMOS V DPAK pour la porte de silicium extérieure de Perfectionnement-Mode de N-Canal de bâti | Téléchargement MTD20N06V-D datasheet de ON Semiconductor |
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| MTD20N06V | Vue MTD20N06V-D à notre catalogue | MTD20P03 |