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ND5113-3G construit près: |
4 V, GaAs diode à barrière de Schottky épitaxiale D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: ND5113-5F, ND5114-5F, ND5114-3G, ND5051-3G, ND5112-5F, |
Téléchargement ND5113-3G datasheet de NEC |
pdf 155 kb |
ND5112-5F | Vue ND5113-3G à notre catalogue | ND5113-5F |