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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
SGSD310 construit près: |
150W; V (CER): 600V; V (CEO): 400V; 28A; haute tension, haute puissance, le silicium de commutation rapide plane multiepitaxial transistor NPN D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: SGSD311, SGSD311FI, |
Téléchargement SGSD310 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 298 kb |
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