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| STGW50H60DF construit près: | 
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 | 50 A, 600 V domaine arrêt tranchée porte IGBT avec la diode ultrarapide | Téléchargement STGW50H60DF datasheet de ST Microelectronics |
pdf 1741 kb |
| STGW45NC60WD | Vue STGW50H60DF à notre catalogue | STGW50HF60S |