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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
401PTF10125135 Watts, 1,4-1,6 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
402PTF1013385 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
403PTF10134100 Watts, 2,1-2,2 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
404PTF101355 Watts, 2,0 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
405PTF101366 Watts, 1,0 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
406PTF1013712 Watts, 1,0 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
407PTF1013860 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
408PTF1013960 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
409PTF1014970 Watts, Transistor à effet de champ De 921-960 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
410PTF1015360 Watts, 1,8-2,0 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
411PTF1015485 Watts, 1,93-1,99 Transistor à effet de champ De Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics



412PTF1016085 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
413PTF10161165 Watts, Transistor à effet de champ De 869-894 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
414PTF1016218 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
415PTF1019318 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
416PTF10195125 Watts, Transistor à effet de champ De 869-894 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
417PTF10202740 Watts, Transistor à effet de champ De 925-960 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
418PTF10202818 Watts, Transistor à effet de champ De 860-960 Mégahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
419PTH3100230 Watts, Hybride De Puissance D'50-Ohms De 1,9-2,0 GigahertzEricsson Microelectronics
420PTH3200325 Watts, Hybride À gain élevé De Puissance D'50-Ohms De 1,9-2,0 GigahertzEricsson Microelectronics

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