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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
1058361RN2908Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058362RN2908AFSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
1058363RN2908FEConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
1058364RN2908FSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
1058365RN2909Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
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1058367RN2909FEConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
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1058369RN2910Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
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1058371RN2910FEConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
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1058373RN2911Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058374RN2911AFSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
1058375RN2911FEConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
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1058377RN2912AFSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
1058378RN2912FSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
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1058380RN2913FSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
1058381RN2961Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058382RN2961FEConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
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1058384RN2962Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058385RN2962FEConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
1058386RN2962FSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
1058387RN2963Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
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1058390RN2964Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
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1058392RN2964FSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
1058393RN2965Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058394RN2965FEConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
1058395RN2965FSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
1058396RN2966Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058397RN2966FEConmutación del tipo del silicio PNP del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
1058398RN2966FSResistencia de polarización integrado transistor (BRT), 2-en-1TOSHIBA
1058399RN2967Conmutación Del Tipo Del Silicio PNP Del Transistor (Proceso del PCT), Usos Epitaxial Del Circuito Del Inversor, Del Circuito De Interfaz Y De Circuito Del ConductorTOSHIBA
1058400RN2967FEConmutación del tipo del silicio NPN del transistor (proceso) del PCT (transistor incorporado del resistor diagonal), usos epitaxial del circuito del inversor, del circuito de interfaz y de circuito del conductor.TOSHIBA
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