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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
1164041STD20NF06T4N-canal 60V - 0,032 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 2Â DPAK STRIPFET IIST Microelectronics
1164042STD20NF10N-canal 100V - 0,038 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 30A IPAK/DPAKST Microelectronics
1164043STD20NF10N-canal 100V - 0,038 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 30A IPAK/DPAKSGS Thomson Microelectronics
1164044STD20NF10T4N-canal 100V - 0,038 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 30A IPAK/DPAKST Microelectronics
1164045STD20NF20N-canal 200V - 0.10Ohm -18A- DPAK / A-220 / A-220FPST Microelectronics
1164046STD22NM20NN-CHANNEL 200V - Los 0.088ohm - Mosfet ULTRA BAJO De MDmesh II de la CARGA de la PUERTA De 22A DPAKST Microelectronics
1164047STD22NM20NN-CHANNEL 200V - Los 0.088ohm - Mosfet ULTRA BAJO De MDmesh II de la CARGA de la PUERTA De 22A DPAKST Microelectronics
1164048STD22NM20NN-CHANNEL 200V - Los 0.088ohm - Mosfet ULTRA BAJO De MDmesh II de la CARGA de la PUERTA De 22A DPAKST Microelectronics
1164049STD22NM20NT4N-CHANNEL 200V - Los 0.088ohm - Mosfet ULTRA BAJO De MDmesh II de la CARGA de la PUERTA De 22A DPAKST Microelectronics
1164050STD22NM20NT4N-CHANNEL 200V - Los 0.088ohm - Mosfet ULTRA BAJO De MDmesh II de la CARGA de la PUERTA De 22A DPAKST Microelectronics
1164051STD22NM20NT4N-CHANNEL 200V - Los 0.088ohm - Mosfet ULTRA BAJO De MDmesh II de la CARGA de la PUERTA De 22A DPAKST Microelectronics
1164052STD25N10F7Canal N 100 V, 0.027 Ohm tip., 25 A, STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAKST Microelectronics
1164053STD25NE03LN - CANAL 30V - 0,019 Ohmios - 2Ä - Mosfet de la ENERGÍA De To-251/to-252 STripFETSGS Thomson Microelectronics
1164054STD25NE03LMosfet Del N-canalST Microelectronics
1164055STD25NF10Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 2Ä DPAK Del N-canal 100V 0,033ST Microelectronics
1164056STD25NF10Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 2Ä DPAK Del N-canal 100V 0,033SGS Thomson Microelectronics
1164057STD25NF10LN-canal 100V - 0.030 OHMIO - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 2Ä DPAKST Microelectronics
1164058STD25NF10LACanal N 100 V, 0.030 Ohm, 25 A, DPAK STripFET (TM) II Power MOSFETST Microelectronics
1164059STD25NF10LT4N-canal 100V - 0.030 OHMIO - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 2Ä DPAKST Microelectronics



1164060STD25NF10T4Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 2Ä DPAK Del N-canal 100V 0,033ST Microelectronics
1164061STD25NF20Canal N 200 V, 0,10 Ohm tip., 18 A STripFET (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAKST Microelectronics
1164062STD26NF10100V N-canal - 0.033Ohm - 25A - DPAKST Microelectronics
1164063STD26P3LLH6P-canal 30 V, 0.024 Ohm tip., 12 A, STripFET (TM) VI DeepGATE Power MOSFET en un paquete DPAKST Microelectronics
1164064STD2805Baja tensión de conmutación rápida transistor PNP de potenciaST Microelectronics
1164065STD2805T4Baja tensión de conmutación rápida transistor PNP de potenciaST Microelectronics
1164066STD29NF03LN-canal 30V - 0,015 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 29A IPAK/DPAKST Microelectronics
1164067STD29NF03LN-canal 30V - 0,015 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 29A IPAK/DPAKSGS Thomson Microelectronics
1164068STD29NF03LN - CANAL 30V - 0,018 Ohmios - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 29A DPAKSGS Thomson Microelectronics
1164069STD29NF03LT4N-canal 30V - 0,015 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 29A IPAK/DPAKST Microelectronics
1164070STD2HNK60ZCanal N 600 V, 4,4 Ohm, protegido con Zener 2 A SuperMesh (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAKST Microelectronics
1164071STD2HNK60Z-1El N-canal 600V - 4,4 OHMIOS - 2.0A To-220fp/to-92/ipak Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESHST Microelectronics
1164072STD2LN60K3Canal N 600 V, 4 Ohm tip., 2 A, SuperMESH3 (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAKST Microelectronics
1164073STD2N50N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
1164074STD2N50Mosfet Del N-canalST Microelectronics
1164075STD2N50-1VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enST Microelectronics
1164076STD2N50-1VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
1164077STD2N62K3Canal N 620 V, 3 Ohm tip., 2.2 A SuperMESH3 (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAKST Microelectronics
1164078STD2N80K5Canal N 800 V, 3.5 Ohm tip., Protegida por la Zener 2 A SuperMesh (TM) MOSFET 5 Potencia en paquete DPAKST Microelectronics
1164079STD2N95K5Canal N 950 V, 4.2 Ohm tip., Protegida por la Zener 2 A SuperMesh (TM) MOSFET 5 Potencia en paquete DPAKST Microelectronics
1164080STD2NA50N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
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