Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
1164041 | STD20NF06T4 | N-canal 60V - 0,032 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 2Â DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
1164042 | STD20NF10 | N-canal 100V - 0,038 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 30A IPAK/DPAK | ST Microelectronics |
1164043 | STD20NF10 | N-canal 100V - 0,038 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 30A IPAK/DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
1164044 | STD20NF10T4 | N-canal 100V - 0,038 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 30A IPAK/DPAK | ST Microelectronics |
1164045 | STD20NF20 | N-canal 200V - 0.10Ohm -18A- DPAK / A-220 / A-220FP | ST Microelectronics |
1164046 | STD22NM20N | N-CHANNEL 200V - Los 0.088ohm - Mosfet ULTRA BAJO De MDmesh II de la CARGA de la PUERTA De 22A DPAK | ST Microelectronics |
1164047 | STD22NM20N | N-CHANNEL 200V - Los 0.088ohm - Mosfet ULTRA BAJO De MDmesh II de la CARGA de la PUERTA De 22A DPAK | ST Microelectronics |
1164048 | STD22NM20N | N-CHANNEL 200V - Los 0.088ohm - Mosfet ULTRA BAJO De MDmesh II de la CARGA de la PUERTA De 22A DPAK | ST Microelectronics |
1164049 | STD22NM20NT4 | N-CHANNEL 200V - Los 0.088ohm - Mosfet ULTRA BAJO De MDmesh II de la CARGA de la PUERTA De 22A DPAK | ST Microelectronics |
1164050 | STD22NM20NT4 | N-CHANNEL 200V - Los 0.088ohm - Mosfet ULTRA BAJO De MDmesh II de la CARGA de la PUERTA De 22A DPAK | ST Microelectronics |
1164051 | STD22NM20NT4 | N-CHANNEL 200V - Los 0.088ohm - Mosfet ULTRA BAJO De MDmesh II de la CARGA de la PUERTA De 22A DPAK | ST Microelectronics |
1164052 | STD25N10F7 | Canal N 100 V, 0.027 Ohm tip., 25 A, STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164053 | STD25NE03L | N - CANAL 30V - 0,019 Ohmios - 2Ä - Mosfet de la ENERGÍA De To-251/to-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
1164054 | STD25NE03L | Mosfet Del N-canal | ST Microelectronics |
1164055 | STD25NF10 | Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 2Ä DPAK Del N-canal 100V 0,033 | ST Microelectronics |
1164056 | STD25NF10 | Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 2Ä DPAK Del N-canal 100V 0,033 | SGS Thomson Microelectronics |
1164057 | STD25NF10L | N-canal 100V - 0.030 OHMIO - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 2Ä DPAK | ST Microelectronics |
1164058 | STD25NF10LA | Canal N 100 V, 0.030 Ohm, 25 A, DPAK STripFET (TM) II Power MOSFET | ST Microelectronics |
1164059 | STD25NF10LT4 | N-canal 100V - 0.030 OHMIO - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 2Ä DPAK | ST Microelectronics |
1164060 | STD25NF10T4 | Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 2Ä DPAK Del N-canal 100V 0,033 | ST Microelectronics |
1164061 | STD25NF20 | Canal N 200 V, 0,10 Ohm tip., 18 A STripFET (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164062 | STD26NF10 | 100V N-canal - 0.033Ohm - 25A - DPAK | ST Microelectronics |
1164063 | STD26P3LLH6 | P-canal 30 V, 0.024 Ohm tip., 12 A, STripFET (TM) VI DeepGATE Power MOSFET en un paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164064 | STD2805 | Baja tensión de conmutación rápida transistor PNP de potencia | ST Microelectronics |
1164065 | STD2805T4 | Baja tensión de conmutación rápida transistor PNP de potencia | ST Microelectronics |
1164066 | STD29NF03L | N-canal 30V - 0,015 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 29A IPAK/DPAK | ST Microelectronics |
1164067 | STD29NF03L | N-canal 30V - 0,015 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 29A IPAK/DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
1164068 | STD29NF03L | N - CANAL 30V - 0,018 Ohmios - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 29A DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
1164069 | STD29NF03LT4 | N-canal 30V - 0,015 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 29A IPAK/DPAK | ST Microelectronics |
1164070 | STD2HNK60Z | Canal N 600 V, 4,4 Ohm, protegido con Zener 2 A SuperMesh (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164071 | STD2HNK60Z-1 | El N-canal 600V - 4,4 OHMIOS - 2.0A To-220fp/to-92/ipak Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESH | ST Microelectronics |
1164072 | STD2LN60K3 | Canal N 600 V, 4 Ohm tip., 2 A, SuperMESH3 (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164073 | STD2N50 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
1164074 | STD2N50 | Mosfet Del N-canal | ST Microelectronics |
1164075 | STD2N50-1 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | ST Microelectronics |
1164076 | STD2N50-1 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
1164077 | STD2N62K3 | Canal N 620 V, 3 Ohm tip., 2.2 A SuperMESH3 (TM) MOSFET de potencia en el paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164078 | STD2N80K5 | Canal N 800 V, 3.5 Ohm tip., Protegida por la Zener 2 A SuperMesh (TM) MOSFET 5 Potencia en paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164079 | STD2N95K5 | Canal N 950 V, 4.2 Ohm tip., Protegida por la Zener 2 A SuperMesh (TM) MOSFET 5 Potencia en paquete DPAK | ST Microelectronics |
1164080 | STD2NA50 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
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